本發(fā)明涉及慣性傳感器和電子部件。

背景技術(shù)：

1、以往，已知有具備具有腔室的基體、懸架于腔室內(nèi)的傳感器元件以及密封腔室的蓋體的傳感器器件?；w與蓋體借助接合材料而接合。對于接合材料，一直在謀求接合強度高、密封的長期可靠性高。

2、例如，專利文獻1中公開了使用alge共晶作為接合材料。根據(jù)該文獻，alge共晶中的ge的濃度是均勻的，或者是距蓋體或基體的距離的函數(shù)。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻

4、專利文獻1：美國發(fā)明專利申請公開第2010/0059835號說明書

5、然而，在專利文獻1的技術(shù)中，基于接合材料的接合強度有可能降低。詳細而言，若ge根據(jù)距蓋體的距離而濃度降低，則在基體側(cè)無法實現(xiàn)alge共晶化，僅成為al層，接合強度有可能降低。另外，在共晶接合的情況下，由于來自傳感器元件的引出布線所引起的凹凸，難以在布線正上方設置共晶接合部，或者接合材料從接合區(qū)域溢出，有可能對傳感器元件造成影響。也就是說，一直在謀求基體與蓋體的接合強度高且可靠性優(yōu)異的慣性傳感器和電子部件。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請的一個方式所涉及的慣性傳感器是靜電電容變化型的慣性傳感器，具備：基體；蓋體；功能元件，其設于所述基體與所述蓋體之間；金屬共晶層，其在位于所述功能元件的周圍的接合區(qū)域中將所述基體和所述蓋體接合；多個布線，其穿過所述接合區(qū)域而與所述功能元件連接；以及虛設圖案，其在所述接合區(qū)域中以與所述布線相同的高度和所述金屬共晶層重疊地設置。

2、本申請的一個方式所涉及的電子部件具備：基體；蓋體；功能元件，其設于所述基體與所述蓋體之間；金屬共晶層，其在位于所述功能元件的周圍的接合區(qū)域中將所述基體和所述蓋體接合；多個布線，其穿過所述接合區(qū)域而與所述功能元件連接；以及虛設圖案，其在所述接合區(qū)域中以與所述布線相同的高度和所述金屬共晶層重疊地設置。

技術(shù)特征：

1.一種慣性傳感器，其是靜電電容變化型的慣性傳感器，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的慣性傳感器，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的慣性傳感器，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的慣性傳感器，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的慣性傳感器，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的慣性傳感器，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的慣性傳感器，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的慣性傳感器，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的慣性傳感器，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的慣性傳感器，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的慣性傳感器，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的慣性傳感器，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的慣性傳感器，其中，

14.一種電子部件，其具備：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子部件，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子部件，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子部件，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子部件，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電子部件，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電子部件，其中，

技術(shù)總結(jié)
慣性傳感器和電子部件。慣性傳感器或電子部件具備：基體；蓋體；功能元件，其設于所述基體與所述蓋體之間；金屬共晶層，其在位于所述功能元件的周圍的接合區(qū)域中將所述基體和所述蓋體接合；多個布線，其穿過所述接合區(qū)域而與所述功能元件連接；以及虛設圖案，其在所述接合區(qū)域中以與所述布線相同的高度和所述金屬共晶層重疊地設置。

技術(shù)研發(fā)人員：小林知永
受保護的技術(shù)使用者：精工愛普生株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/7/21