本技術(shù)涉及采樣電路，尤其涉及一種優(yōu)化電流采樣精度的電路。
背景技術(shù)：
1、傳統(tǒng)的電流采樣方法通常是在電源通路中串聯(lián)一個(gè)毫歐級電阻，通過測量電阻兩端的電壓差，并經(jīng)過適當(dāng)?shù)姆糯筇幚?，來間接計(jì)算出電流的大小。然而，這種方法在實(shí)際應(yīng)用中面臨一些挑戰(zhàn)和限制。
2、一方面，當(dāng)需要采樣幾十毫安以上的大電流時(shí)，使用毫歐級電阻作為采樣電阻是一個(gè)可行的選擇。由于電阻值較小，電阻兩端的壓降相對較小，對后級電路的影響較小，因此可以確保電流采樣的準(zhǔn)確性。但是，當(dāng)需要采樣幾毫安的小電流時(shí)，由于采樣電阻的阻值不變，導(dǎo)致電阻兩端的壓降過小，使得adc難以準(zhǔn)確測量，進(jìn)而影響了電流采樣的精度。
3、另一方面，如果采用歐姆級別的電阻作為采樣電阻以改善小電流采樣的準(zhǔn)確性，雖然可以確保小電流采樣的精度，但是在采樣大電流時(shí)，由于電阻值較大，電阻兩端的壓降會(huì)顯著增大，這可能對后級電路的正常工作產(chǎn)生不利影響，如降低電源電壓、增加功耗等。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)的弊端。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：
3、本實(shí)用新型的實(shí)施例提供了一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，其包括：控制芯片、第一采樣電路、第二采樣電路、負(fù)載輸出端口，所述第一采樣電路的第一端連接于所述控制芯片的第一gpio端口，所述第一采樣電路的第二端連接于所述控制芯片的第一adc端口和所述負(fù)載輸出端口，所述第二采樣電路的第一端連接于所述控制芯片的第二gpio端口，所述第二采樣電路的第二端連接于所述控制芯片的第二adc端口和所述負(fù)載輸出端口；
4、所述第一采樣電路包括：第一電源輸入端口、第一mos管、第一采樣電阻，所述第一電源輸入端口分別連接于所述第一mos管的源極并接地，所述第一mos管的柵極連接于所述第一gpio端口，所述第一mos管的漏極連接于所述第一采樣電阻的第一端，所述第一采樣電阻的第二端分別連接于所述第一adc端口和所述負(fù)載輸出端口；
5、所述第二采樣電路包括：第二電源輸入端口、第二mos管、第二采樣電阻，所述第二電源輸入端口分別連接于所述第二mos管的源極并接地，所述第二mos管的柵極連接于所述第二gpio端口，所述第二mos管的漏極連接于所述第二采樣電阻的第一端，所述第二采樣電阻的第二端分別連接于所述第二adc端口和所述負(fù)載輸出端口；
6、其中，所述控制芯片用于控制所述第一mos管和所述第二mos管為導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)，所述第一采樣電阻的阻值大于所述第二采樣電阻。
7、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第一采樣電路還包括設(shè)置于所述第一采樣電阻與所述第一adc端口之間的第一運(yùn)算放大器，所述第一運(yùn)算放大器的in+端口連接于所述第一采樣電阻的第一端，所述第一運(yùn)算放大器的in-端口連接于所述第一采樣電阻的第二端，所述第一運(yùn)算放大器的out端口連接于所述第一adc端口。
8、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第一采樣電路還包括第一電容、第二電容、第三電容，所述第一電容的第一端連接于所述第一電源輸入端口與所述第一mos管源極的耦合點(diǎn)，所述第一電容的第二端接地；所述第二電容的第一端連接于所述第一采樣電阻的第二端和所述第三電容的第一端，所述第二電容的第二端接地；所述第三電容的第一端連接于所述負(fù)載輸出端口，所述第三電容的第二端接地。
9、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第一采樣電路還包括第四電容和第五電容，所述第四電容的第一端連接于所述第一運(yùn)算放大器的v+端口，所述第四電容的第二端接地；所述第五電容的第一端連接于所述第一運(yùn)算放大器的out端口，所述第五電容的第二端接地。
10、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第一運(yùn)算放大器的放大倍率為100倍。
11、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第二采樣電路還包括設(shè)置于所述第二采樣電阻與所述第二adc端口之間的第二運(yùn)算放大器，所述第二運(yùn)算放大器的in+端口連接于所述第二采樣電阻的第一端，所述第二運(yùn)算放大器的in-端口連接于所述第二采樣電阻的第二端，所述第二運(yùn)算放大器的out端口連接于所述第二adc端口。
12、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第二采樣電路還包括第六電容、第七電容、第八電容，所述第六電容的第一端連接于所述第二電源輸入端口與所述第二mos管源極的耦合點(diǎn)，所述第六電容的第二端接地；所述第七電容的第一端連接于所述第二采樣電阻的第二端和所述第八電容的第一端，所述第七電容的第二端接地；所述第八電容的第一端連接于所述負(fù)載輸出端口，所述第八電容的第二端接地。
13、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第二采樣電路還包括第九電容和第十電容，所述第九電容的第一端連接于所述第二運(yùn)算放大器的v+端口，所述第九電容的第二端接地；所述第十電容的第一端連接于所述第二運(yùn)算放大器的out端口，所述第十電容的第二端接地。
14、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第二運(yùn)算放大器的放大倍率為100倍。
15、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第一采樣電阻的阻值為10ω，所述第二采樣電阻的阻值為0.01ω。
16、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)化電流采樣精度的電路，通過控制芯片根據(jù)第一電源輸入端口和第二電源輸入端口的輸入電流大小控制第一mos管和所述第二mos管為導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)，從而進(jìn)一步的在大電流采樣時(shí)，選擇阻值較小的第二采樣電阻所在的第二采樣電路工作；在小電流采樣時(shí)，選擇阻值較大的第一采樣電阻所在的第一采樣電路工作，實(shí)現(xiàn)對不同電流范圍內(nèi)的精確電流采樣。
17、上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型技術(shù)手段，可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本實(shí)用新型的上述和其它目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，詳細(xì)說明如下。
1.一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，其特征在于，包括：控制芯片、第一采樣電路、第二采樣電路、負(fù)載輸出端口，所述第一采樣電路的第一端連接于所述控制芯片的第一gpio端口，所述第一采樣電路的第二端連接于所述控制芯片的第一adc端口和所述負(fù)載輸出端口，所述第二采樣電路的第一端連接于所述控制芯片的第二gpio端口，所述第二采樣電路的第二端連接于所述控制芯片的第二adc端口和所述負(fù)載輸出端口；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，其特征在于，所述第一采樣電路還包括設(shè)置于所述第一采樣電阻與所述第一adc端口之間的第一運(yùn)算放大器，所述第一運(yùn)算放大器的in+端口連接于所述第一采樣電阻的第一端，所述第一運(yùn)算放大器的in-端口連接于所述第一采樣電阻的第二端，所述第一運(yùn)算放大器的out端口連接于所述第一adc端口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，其特征在于，所述第一采樣電路還包括第一電容、第二電容、第三電容，所述第一電容的第一端連接于所述第一電源輸入端口與所述第一mos管源極的耦合點(diǎn)，所述第一電容的第二端接地；所述第二電容的第一端連接于所述第一采樣電阻的第二端和所述第三電容的第一端，所述第二電容的第二端接地；所述第三電容的第一端連接于所述負(fù)載輸出端口，所述第三電容的第二端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，其特征在于，所述第一采樣電路還包括第四電容和第五電容，所述第四電容的第一端連接于所述第一運(yùn)算放大器的v+端口，所述第四電容的第二端接地；所述第五電容的第一端連接于所述第一運(yùn)算放大器的out端口，所述第五電容的第二端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，其特征在于，所述第一運(yùn)算放大器的放大倍率為100倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，其特征在于，所述第二采樣電路還包括設(shè)置于所述第二采樣電阻與所述第二adc端口之間的第二運(yùn)算放大器，所述第二運(yùn)算放大器的in+端口連接于所述第二采樣電阻的第一端，所述第二運(yùn)算放大器的in-端口連接于所述第二采樣電阻的第二端，所述第二運(yùn)算放大器的out端口連接于所述第二adc端口。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，其特征在于，所述第二采樣電路還包括第六電容、第七電容、第八電容，所述第六電容的第一端連接于所述第二電源輸入端口與所述第二mos管源極的耦合點(diǎn)，所述第六電容的第二端接地；所述第七電容的第一端連接于所述第二采樣電阻的第二端和所述第八電容的第一端，所述第七電容的第二端接地；所述第八電容的第一端連接于所述負(fù)載輸出端口，所述第八電容的第二端接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，其特征在于，所述第二采樣電路還包括第九電容和第十電容，所述第九電容的第一端連接于所述第二運(yùn)算放大器的v+端口，所述第九電容的第二端接地；所述第十電容的第一端連接于所述第二運(yùn)算放大器的out端口，所述第十電容的第二端接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，其特征在于，所述第二運(yùn)算放大器的放大倍率為100倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種優(yōu)化電流采樣精度的電路，其特征在于，所述第一采樣電阻的阻值為10ω，所述第二采樣電阻的阻值為0.01ω。