技術(shù)編號(hào)：42300212
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，具體涉及一種提高多晶金剛石厚度均勻性的方法。背景技術(shù)、制備多晶金剛石的生長(zhǎng)基底一般為硅襯底，硅襯底表面和側(cè)邊緣為垂直相交，形成o的邊緣交角區(qū)域。目前，制備高質(zhì)量多晶金剛石的主要方法是mpcvd法，mpcvd法生長(zhǎng)環(huán)境為氫等離子體，具有邊緣效應(yīng)，即氫等離子體遇到硅襯底邊緣交角區(qū)域發(fā)生尖端放電，在該邊緣交角區(qū)域會(huì)形成局部熱點(diǎn)，導(dǎo)致硅襯底邊緣交角區(qū)域比中心區(qū)域溫度高幾十至幾百度。由此產(chǎn)生的后果是：硅襯底邊緣交角區(qū)域的生長(zhǎng)速率高于中心區(qū)域，多晶金剛石邊緣交角區(qū)域厚度大于中心區(qū)域，...
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