技術(shù)編號(hào)：42300995
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及真空計(jì)結(jié)構(gòu)優(yōu)化，具體而言，涉及一種薄膜真空計(jì)優(yōu)化方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù)、目前，為了提高薄膜真空計(jì)的性能，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上的改進(jìn)主要依賴于實(shí)驗(yàn)方法，然而，這種方法存在不足，如實(shí)驗(yàn)成本高、周期長(zhǎng)，且難以全面覆蓋所有可能的工況。因此，引入仿真改進(jìn)方法成為了一種趨勢(shì)，通過理論分析與仿真模擬相結(jié)合，可以更加深入地研究影響薄膜真空計(jì)性能的各種因素，如薄膜材料、電極結(jié)構(gòu)、尺寸等，從而提出更加有效的改進(jìn)方案，仿真方法不僅能夠降低實(shí)驗(yàn)成本，縮短研發(fā)周期，還能夠提高設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性和可靠性。但是...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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