一種等離子體化學氣相沉積鍍膜裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種等離子體化學氣相沉積鍍膜裝置，涉及技術領域。該實用新型包括真空室，真空室內設置有陰極屏、工件架和偏壓電源，陰極屏設置在真空室的下部，工件架設置在陰極屏上，偏壓電源設置在真空室外部，偏壓電源包括第一偏壓電源和第二偏壓電源，第一偏壓電源與陰極屏連接，第二偏壓電源與工件臺連接，真空室接地。本實用新型結構簡單、易于制造、成本低廉，提高了生產效率，降低了生產成本，具有極大的生產實踐意義。
【專利說明】
一種等離子體化學氣相沉積鍍膜裝置
技術領域
[0001]本實用新型涉及一種鍍膜設備技術領域，特別是涉及一種等離子體化學氣相沉積鍍膜裝置。
【背景技術】
[0002]等離子體化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposit1n)簡稱PCVD.是一種用等離子體激活反應氣體，促進在基體表面或近表面空間進行化學反應，生成固態(tài)膜的技術。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激活并實現化學氣相沉積的技術。PCVD與傳統(tǒng)CVD技術的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學氣相沉積過程中所需要的激活能，從而改變了反應體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進反應氣體分子的化學鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學基團，同時整個反應體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進行的CVD過程得以在低溫下進行。
【實用新型內容】
[0003]針對上述問題中存在的不足之處，本實用新型提供一種等離子體化學氣相沉積鍍膜裝置，使其結構簡單、易于制造、成本低廉，提高了生產效率，降低了生產成本，具有極大的生產實踐意義。
[0004]為了解決上述問題，本實用新型提供一種等離子體化學氣相沉積鍍膜裝置，其中，包括真空室，所述真空室內設置有陰極屏、工件架和偏壓電源，所述陰極屏設置在所述真空室的下部，所述工件架設置在所述陰極屏上，所述偏壓電源設置在所述真空室外部，所述偏壓電源包括第一偏壓電源和第二偏壓電源，所述第一偏壓電源與所述陰極屏連接，所述第二偏壓電源與所述工件臺連接，所述真空室接地。
[0005]優(yōu)選的，所述真空室的左端設置有氣體入口，所述真空室的右端設置有抽氣口。
[0006]優(yōu)選的，所述真空室的上端設置有加熱燈絲。
[0007]優(yōu)選的，所述陰極屏的下端設置有陰極屏座，所述陰極屏座的底端與所述真空室的底端固定連接。
[0008]與現有技術相比，本實用新型具有以下優(yōu)點:
[0009]本實用新型結構簡單、易于制造、成本低廉，提高了生產效率，降低了生產成本，具有極大的生產實踐意義。
【附圖說明】
[0010]圖1是本實用新型的實施例結構示意圖。
【具體實施方式】
[0011]為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，下面結合附圖與實例對本實用新型作進一步詳細說明，但所舉實例不作為對本實用新型的限定。
[0012]如圖1所示，本實用新型的實施例中，真空室I接地，加熱燈絲2位于真空室I的上端，在工件4溫度不夠高時使用；陰極屏3設置在真空室I內，由陰極屏座9支撐，工作時向陰極屏3施加負偏壓，偏壓連續(xù)可調;工件4設置在陰極屏3內，由工件架8支撐，工作時向工件4施加比陰極屏3更低的負偏壓，偏壓連續(xù)可調;氣體入口 5與抽氣口 7分別位于真空室I側面，等離子體區(qū)6在陰極屏內，電場方向為由陰極屏3指向工件。
[0013]本實施例的工作過程:啟動真空系統(tǒng)的機械栗對真空室I進行抽氣，真空室I達到本體真空之后，向陰極屏3充入工作氣體Ar，到達一定真空度后，啟動陰極屏3與工件4的偏壓電源，設置為工件4偏壓的絕對值高于陰極屏3，使電子受電場力的作用加速向陰極屏3運動，電子在運動過程中與工作氣體Ar原子發(fā)生碰撞并產生高濃度的等離子體，電離的Ar離子轟擊工件4，使工件4升溫；同時通入工作氣體，在極強的離子能量與較高的溫度環(huán)境下，工作氣體在工件4表面產生化學反應，同時沉積在工件4表面。在工作過程中，若化學反應溫度不夠高，也可開啟加熱燈絲，使其溫度進一步提高。
[0014]本發(fā)明的核心點是在工件4外圍設置陰極屏3，在陰極屏3內通入Ar，并在陰極屏3與工件4分別施加不同電位的負偏壓，其中陰極屏3的電位比工件4高，這時在陰極，3內產生高濃度的等離子體，電離的Ar離子轟擊工件4，使工件4升溫，同時通入工作氣體，在極強的離子能量與較高的溫度環(huán)境下，工作氣體在工，4表面產生化學反應，同時沉積在工件4表面。
[0015]對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業(yè)技術人員能夠實現或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權項】
1.一種等離子體化學氣相沉積鍍膜裝置，其特征在于，包括真空室，所述真空室內設置有陰極屏、工件架和偏壓電源，所述陰極屏設置在所述真空室的下部，所述工件架設置在所述陰極屏上，所述偏壓電源設置在所述真空室外部，所述偏壓電源包括第一偏壓電源和第二偏壓電源，所述第一偏壓電源與所述陰極屏連接，所述第二偏壓電源與所述工件臺連接，所述真空室接地。2.如權利要求1所述的等離子體化學氣相沉積鍍膜裝置，其特征在于，所述真空室的左端設置有氣體入口，所述真空室的右端設置有抽氣口。3.如權利要求2所述的等離子體化學氣相沉積鍍膜裝置，其特征在于，所述真空室的上端設置有加熱燈絲。4.如權利要求3所述的等離子體化學氣相沉積鍍膜裝置，其特征在于，所述陰極屏的下端設置有陰極屏座，所述陰極屏座的底端與所述真空室的底端固定連接。
【文檔編號】C23C16/50GK205443446SQ201620206505
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年3月18日
【發(fā)明人】渠洪波
【申請人】沈陽科友真空技術有限公司