本發(fā)明涉及半導體設備，尤其涉及一種等離子體清洗裝置、半導體設備及設備安裝方法。

背景技術：

1、現有的半導體工藝設備中，常通過等離子體對反應腔室及與反應腔室相連的排氣管路進行清洗。等離子體產生自遠程等離子體源，遠程等離子體源設置于反應腔室外，并通過管路與反應腔室連通。遠程等離子體源所產生的等離子體能夠依次經過反應腔室和排氣管路，從而實現對反應腔室以及排氣管路內所殘留的反應副產物的清洗。

2、但是，在清洗時，往往會出現排氣管路內清洗不徹底的現象，導致排氣管路，尤其是排氣管路的蝶閥等控制閥處易出現副產物堆積、卡頓、堵塞的現象，進一步地導致必須人工進行拆卸和清洗，費時費力，影響半導體工藝設備的工作效能。

3、因此，亟需一種等離子體清洗裝置、半導體設備及設備安裝方法，以解決上述的技術問題。

技術實現思路

1、本發(fā)明的第一個目的在于提供一種等離子體清洗裝置，能夠對反應腔室和排氣管路進行較為徹底的清洗，避免排氣管路的控制閥處出現副產物堆積、卡頓、堵塞的現象。

2、為達此目的，本發(fā)明采用以下技術方案：

3、等離子體清洗裝置，用于清洗半導體設備的反應腔室以及與所述反應腔室相連的排氣管路，包括：

4、遠程等離子體源，所述遠程等離子體源用于產生等離子體；

5、第一清洗管路，所述第一清洗管路的一端連接于所述遠程等離子體源，所述第一清洗管路的另一端連接于所述反應腔室，所述等離子體的第一部分能夠依次流經所述第一清洗管路、所述反應腔室和所述排氣管路；

6、第二清洗管路，所述第二清洗管路的一端和所述第一清洗管路連接于同一個所述遠程等離子體源，所述第二清洗管路的另一端連接于所述排氣管路；所述排氣管路設置有排氣控制閥，所述第二清洗管路連接于所述排氣控制閥的上游，所述等離子體的第二部分能夠依次流經所述第二清洗管路和所述排氣管路。

7、作為優(yōu)選地，所述第一清洗管路和所述第二清洗管路通過三通閥或三通接頭連接于所述遠程等離子體源。

8、作為優(yōu)選地，所述三通閥包括三通調節(jié)閥，所述三通調節(jié)閥用于調節(jié)流入所述第一清洗管路和流入所述第二清洗管路的所述等離子體之比。

9、作為優(yōu)選地，所述第一清洗管路和所述第二清洗管路連接有所述三通接頭，所述第一清洗管路設置有第一清洗控制閥，所述第一清洗控制閥設置于所述三通接頭和所述反應腔室之間，并且，

10、所述第二清洗管路設置有第二清洗控制閥，所述第二清洗控制閥設置于所述三通接頭和所述排氣管路之間。

11、作為優(yōu)選地，所述第一清洗管路和/或所述第二清洗管路的彎曲角度不小于90度。

12、作為優(yōu)選地，所述第二清洗管路和所述排氣管路之間連接后形成的彎曲角度不小于90度；和/或，

13、所述第二清洗管路和所述第一清洗管路之間連接后形成的彎曲角度不小于90度。

14、作為優(yōu)選地，所述第一清洗管路和/或所述第二清洗管路的內部設置有內襯結構，所述內襯結構用于隔熱和/或防腐蝕，所述內襯結構采用陶瓷、金屬和含氟塑料中的至少一種材料制作。

15、作為優(yōu)選地，所述內襯結構包括可拆卸地設置的內襯零件；和/或，

16、所述內襯結構包括一體設置于所述第一清洗管路和/或所述第二清洗管路的內壁面的陶瓷層、金屬層或含氟塑料層。

17、作為優(yōu)選地，所述第一清洗管路和/或所述第二清洗管路包括有波紋管，所述波紋管內設置有所述內襯結構。

18、作為優(yōu)選地，所述內襯結構包括有襯套管，所述襯套管穿設于所述波紋管，所述波紋管的端部設置有連接法蘭，所述襯套管穿設于所述連接法蘭和所述波紋管。

19、作為優(yōu)選地，所述排氣管路連接有吹掃結構，所述吹掃結構連接于所述排氣控制閥和所述反應腔室之間，所述第二清洗管路連接于所述吹掃結構和所述反應腔室之間。

20、作為優(yōu)選地，所述等離子體清洗裝置還包括有第三清洗管路，所述第一清洗管路連接于所述反應腔室的頂部，所述第三清洗管路的一端和所述第一清洗管路、所述第二清洗管路連接于同一個所述遠程等離子體源，所述第三清洗管路的另一端連接于所述反應腔室的底部，所述等離子體的第三部分能夠依次流經所述第三清洗管路、所述反應腔室和所述排氣管路。

21、本發(fā)明所提供的等離子體清洗裝置的有益效果：相比于現有技術中的清洗裝置，本發(fā)明中所提供的等離子體清洗裝置，能夠通過第一清洗管路和第二清洗管路，分別直接向反應腔室和排氣管路輸入等離子體，從而避免了等離子體在到達排氣控制閥前就已失活，確保了排氣控制閥處能夠得到徹底的清洗效果，避免了出現副產物堆積、卡頓、堵塞的現象，進而減少了拆卸和清洗的時間成本和人工成本，提高了半導體工藝設備的效能。同時，僅使用一個遠程等離子體源即可實現對反應腔室和排氣管路的分別輸入，能夠大大節(jié)省等離子體清洗裝置的結構成本。

22、本發(fā)明的第二個目的在于提供一種半導體設備，維護方便且易進行清洗作業(yè)，具有較高的工作效能。

23、為達此目的，本發(fā)明采用以下技術方案：

24、半導體設備，包括有至少兩個所述反應腔室，每一所述反應腔室對應連接有一個排氣管路以及如上述的等離子體清洗裝置，每一所述反應腔室對應連接有一個所述等離子體清洗裝置中的一個遠程等離子體源、一個第一清洗管路和一個第二清洗管路。

25、本發(fā)明所提供的半導體設備的有益效果：通過連接等離子體清洗裝置，能夠確保等離子體的第二部分在失活前對排氣控制閥等易堆積副產物的結構進行充分的清洗，從而避免了排氣控制閥處出現卡頓、堵塞的現象，降低了對半導體設備的維護頻率和維護成本，提高了半導體設備的工作效能。

26、本發(fā)明的第三個目的在于提供一種設備安裝方法，能夠將上述的等離子體裝置安裝于現有的半導體設備。

27、為達此目的，本發(fā)明采用以下技術方案：

28、設備安裝方法，用于在半導體設備上設置上述的等離子體清洗裝置，包括：

29、在反應腔室外設置遠程等離子體源，在遠程等離子體源和反應腔室之間設置第一清洗管路，在遠程等離子體源和排氣管路之間設置第二清洗管路，并將第二清洗管路連接于排氣管路的排氣控制閥的上游。

30、作為優(yōu)選地，所述第一清洗管路和/或所述第二清洗管路的彎曲角度設置為不小于90度。

31、作為優(yōu)選地，所述第二清洗管路和所述排氣管路之間的彎曲角度設置為不小于90度；和/或，所述第二清洗管路和所述第一清洗管路之間的彎曲角度設置為不小于90度。

32、作為優(yōu)選地，所述第一清洗管路和/或所述第二清洗管路包括有至少一個波紋管。

33、本發(fā)明所提供的設備安裝方法的有益效果：通過上述的設備安裝方法，無需對現有的半導體工藝設備管路進行改動，只需增設相應結構就能夠方便地在現有半導體設備上設置等離子體清洗裝置，實現對半導體設備的高質量、高效率的清洗作業(yè)，提高半導體設備的處理效率，有利于提高半導體設備的處理質量，并能夠顯著避免排氣控制閥處出現副產物堆積、卡頓、堵塞的現象，使得半導體設備能夠得到較為徹底的清洗。