本公開涉及磁屏蔽層領(lǐng)域，尤其涉及一種磁屏蔽層。
背景技術(shù)：
1、現(xiàn)有技術(shù)中的磁屏蔽層設(shè)計通常整體采用相同的屏蔽結(jié)構(gòu)，例如采用相同的屏蔽材料等。然而實際應(yīng)用中，由于磁場分布的不規(guī)則，采用整體相同的屏蔽結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致磁屏蔽效果不均勻，影響整體電磁兼容性，也不利于減少重量、體積等。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開提出一種磁屏蔽層的參數(shù)優(yōu)化方法及相關(guān)設(shè)備，至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中磁屏蔽層的磁屏蔽效果不均勻且重量大、設(shè)計效率低等技術(shù)問題。
2、本公開第一方面，提供了一種磁屏蔽層，設(shè)置于目標對象的第一相對位置且包圍所述目標對象，以減少所述目標對象所在的目標環(huán)境的磁場對所述目標對象的干擾；
3、所述磁屏蔽層包括：
4、多個局部磁屏蔽區(qū)域，每個局部磁屏蔽區(qū)域具有對應(yīng)的局部磁屏蔽結(jié)構(gòu)；其中，至少兩個所述局部磁屏蔽結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)參數(shù)不同，所述結(jié)構(gòu)參數(shù)包括屏蔽結(jié)構(gòu)層數(shù)、每層所述磁屏蔽結(jié)構(gòu)的屏蔽材料和每層所述屏蔽結(jié)構(gòu)的材料厚度中的至少一種。
5、從上面所述可以看出，本公開提供的磁屏蔽層，通過在目標對象的第一相對位置設(shè)置多個具有不同結(jié)構(gòu)參數(shù)的局部磁屏蔽區(qū)域來包圍目標對象，以減少目標環(huán)境的磁場干擾。通過靈活調(diào)整各局部磁屏蔽區(qū)域的結(jié)構(gòu)參數(shù)(如層數(shù)、材料、厚度)，可以實現(xiàn)對目標對象更精確、高效的磁屏蔽保護。
1.一種磁屏蔽層，其特征在于，設(shè)置于目標對象的第一相對位置且包圍所述目標對象，以減少所述目標對象所在的目標環(huán)境的磁場對所述目標對象的干擾；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁屏蔽層，其特征在于，相鄰的所述局部磁屏蔽區(qū)域采用機械連接、粘和連接或物理嵌合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁屏蔽層，其特征在于，多個所述局部磁屏蔽區(qū)域包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁屏蔽層，其特征在于，所述局部磁屏蔽區(qū)域的目標局部參數(shù)使得所述磁屏蔽層在滿足所述目標對象在所述第一相對位置處的磁屏蔽要求時，使所述磁屏蔽層的質(zhì)量最小化；其中，所述目標局部參數(shù)包括所述局部磁屏蔽區(qū)域的尺寸和對應(yīng)的局部磁屏蔽結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)參數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁屏蔽層，其特征在于，所述局部磁屏蔽區(qū)域的所述尺寸對應(yīng)規(guī)則形狀，且基于所述局部磁屏蔽區(qū)域處的關(guān)聯(lián)參數(shù)的參數(shù)值確定，所述關(guān)聯(lián)參數(shù)與所述目標環(huán)境的磁場分布相關(guān)聯(lián)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁屏蔽層，其特征在于，每個所述局部磁屏蔽區(qū)域內(nèi)的所述參數(shù)值處于相同的所述預(yù)設(shè)范圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁屏蔽層，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)參數(shù)使得所述局部磁屏蔽區(qū)域在滿足所述關(guān)聯(lián)參數(shù)在所述局部磁屏蔽區(qū)域的關(guān)聯(lián)參數(shù)約束條件時，所述局部磁屏蔽區(qū)域的局部質(zhì)量的最?。?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁屏蔽層，其特征在于，所述第一相對位置基于所述目標對象的幾何參數(shù)和所述目標環(huán)境對所述目標對象的空間約束確定。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁屏蔽層，其特征在于，所述屏蔽結(jié)構(gòu)層數(shù)包括單層或多層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁屏蔽層，其特征在于，所述屏蔽材料包括非晶合金、坡莫合金、硅鋼片或工業(yè)純鐵。