技術(shù)編號(hào)：42299034
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)、電子設(shè)備制造處理可能涉及材料沉積、圖案化及移除的許多步驟，以在襯底上形成集成電路。例如，原子層沉積(ald)可用于利用一個(gè)或更多個(gè)沉積循環(huán)來(lái)以逐層方式在襯底上形成膜。在ald循環(huán)中，膜前體吸附至襯底的表面上，該襯底設(shè)置于處理室中。過(guò)剩的膜前體從該處理室清除，且該吸附的膜前體被化學(xué)地轉(zhuǎn)化成在該襯底上的膜。例如，該吸附的前體可氧化以形成氧化物膜。目標(biāo)厚度的高度保形的膜可利用一個(gè)或更多個(gè)沉積循環(huán)來(lái)生長(zhǎng)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、提供本發(fā)明內(nèi)容，以利用簡(jiǎn)化的形式來(lái)介紹概念的選擇，其將在以下的具體實(shí)施方...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。