背景技術(shù)：
1、電子設(shè)備制造處理可能涉及材料沉積、圖案化及移除的許多步驟，以在襯底上形成集成電路。例如，原子層沉積(ald)可用于利用一個或更多個沉積循環(huán)來以逐層方式在襯底上形成膜。在ald循環(huán)中，膜前體吸附至襯底的表面上，該襯底設(shè)置于處理室中。過剩的膜前體從該處理室清除，且該吸附的膜前體被化學(xué)地轉(zhuǎn)化成在該襯底上的膜。例如，該吸附的前體可氧化以形成氧化物膜。目標厚度的高度保形的膜可利用一個或更多個沉積循環(huán)來生長。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、提供本
技術(shù)實現(xiàn)要素：
，以利用簡化的形式來介紹概念的選擇，其將在以下的具體實施方式中進一步描述。本發(fā)明內(nèi)容不意圖識別所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或基本特征，也不意圖用于限制所要求保護的主題的范圍。此外，所要求保護的主題不限于解決本公開內(nèi)容的任何部分中所提到的任何或所有缺點的實現(xiàn)方案。
2、所公開的示例涉及使用原子層沉積(ald)來形成膜。一示例提供一種方法，其包含將包含下凹特征的襯底布置在ald處理室中的襯底支撐件上。該下凹特征包含凹壁，該凹壁從襯底表面中的該下凹特征的開口延伸到該襯底中。該凹壁包含第一深度和第二深度。該第一深度比該第二深度更靠近該襯底表面。該方法還包含將抑制劑供應(yīng)至該處理室并且在該處理室中形成包含該抑制劑的等離子體，以在該第一深度處產(chǎn)生抑制表面。該方法還包含執(zhí)行ald以沉積膜，該膜在該第二深度處比在該第一深度處更厚。
3、在某些此類示例中，替代或額外地，該膜包含以下一者或更多者：硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物、硅碳化物、或硅碳氧化物。
4、在某些此類示例中，替代或額外地，該抑制劑包含含氟抑制劑。
5、在某些此類示例中，替代或額外地，該膜包含金屬膜。
6、在某些此類示例中，替代或額外地，該抑制劑包含含氮抑制劑。
7、在某些此類示例中，替代或額外地，該抑制劑包含以下一者或更多者：f2、h2、n2、nf3、cf4、sf6、hf、xef2、nh3、胺醇、胺、或二胺。
8、在某些此類示例中，替代或額外地，該膜包含以下一者或更多者：金屬氧化物膜或金屬氧化物/硅氧化物層合(laminate)膜。
9、在某些此類示例中，替代或額外地，該方法還包含通過鈍化循環(huán)，從該襯底表面移除該抑制劑。
10、在某些此類示例中，替代或額外地，該下凹特征包含大于或等于20：1且小于或等于200：1的深寬比。
11、在某些此類示例中，替代或額外地，該方法還包含在將該抑制劑供應(yīng)至該處理室之前，執(zhí)行ald以在包含該下凹特征內(nèi)部在內(nèi)的該襯底上沉積保形膜。
12、在某些此類示例中，該保形膜與在該第二深度處較厚的該膜包含相同材料。
13、在某些此類示例中，替代或額外地，該保形膜包含約40埃至約90埃的厚度。
14、在某些此類示例中，將該抑制劑與膜前體同時供應(yīng)至該ald處理室。
15、另一示例提供一種方法，其包含將包含下凹特征的襯底布置在原子層沉積(ald)處理室中的襯底支撐件上。該下凹特征包含凹壁，該凹壁從該下凹特征的開口延伸到該襯底中。該下凹特征還包含第一深度和第二深度，該第一深度比該第二深度更靠近該開口。該方法還包含執(zhí)行ald以在該襯底上并包含在該凹壁上沉積第一保形膜。該方法還包含將抑制劑供應(yīng)至該處理室并且在該處理室中形成包含該抑制劑的等離子體，以在該第一深度處的該下凹特征內(nèi)產(chǎn)生抑制表面。該方法還包含執(zhí)行ald以沉積第二膜，該第二膜在該第二深度處比在該第一深度處更厚。
16、在某些此類示例中，替代或額外地，該第一保形膜與該第二膜獨立地包含硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物、硅碳化物、或硅碳氧化物。
17、在某些此類示例中，替代或額外地，該抑制劑包含含氟抑制劑。
18、在某些此類示例中，替代或額外地，該第一保形膜與該第二膜中的至少一者包含金屬膜。
19、在某些此類示例中，替代或額外地，該抑制劑包含含氮抑制劑。
20、另一示例提供一種通過原子層沉積(ald)在襯底上形成的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包含下凹特征，其形成在襯底上。該下凹特征包含凹壁，該凹壁從襯底表面中的該下凹特征的開口延伸到該襯底中。該凹壁包含第一深度和第二深度。該第一深度比該第二深度更靠近該開口。該結(jié)構(gòu)還包含第一保形膜，其設(shè)置在該襯底表面上以及在該凹壁上。該結(jié)構(gòu)還包含第二膜，其在該第二深度處而非在該第一深度處被設(shè)置于該第一保形膜上，以使整體膜厚度在該第二深度處比在該第一深度處更厚。
21、在某些此類示例中，該第一保形膜與該第二膜獨立地包含硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物、硅碳化物、或硅碳氧化物。
1.一種方法，其包含：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述膜包含硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物、硅碳化物、或硅碳氧化物中的一者或更多者。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述抑制劑包含含氟抑制劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述膜包含金屬膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述抑制劑包含含氮抑制劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述含氮抑制劑包含氮(n2)、氨(nh3)、胺、二胺、或胺醇中的一者或更多者。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述膜包含金屬氧化物膜或?qū)雍夏ぶ械囊徽呋蚋嗾撸鰧雍夏ぐ饘傺趸飳雍凸柩趸飳印?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包含通過鈍化循環(huán)從所述襯底表面移除所述抑制劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述下凹特征包含大于或等于20：1且小于或等于200：1的深寬比。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包含在將所述抑制劑供應(yīng)至所述處理室之前，執(zhí)行ald以在包含所述下凹特征內(nèi)部在內(nèi)的所述襯底上沉積保形膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述保形膜與在所述第二深度處較厚的所述膜包含相同材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述保形膜包含約40至約90埃的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述抑制劑與所述膜前體同時供應(yīng)至所述ald處理室。
14.一種方法，其包含：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一保形膜與所述第二膜獨立地包含硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物、硅碳化物、或硅碳氧化物中的一者或更多者。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述抑制劑包含含氟抑制劑。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述保形膜與所述第二膜中的至少一者包含金屬膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述抑制劑包含含氮抑制劑。
19.一種通過原子層沉積(ald)在襯底上形成的結(jié)構(gòu)，其包含：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第一保形膜與所述第二膜獨立地包含硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物、硅碳化物、或硅碳氧化物。