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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 一種MEMS壓力傳感器及其制造方法、電子裝置與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems壓力傳感器及其制造方法、電子裝置。、mems壓力傳感器是在mems工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的前沿研究領(lǐng)域，其適用于高沖擊、高過載、導(dǎo)電、腐蝕、輻射等惡劣環(huán)境，并廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、工業(yè)、醫(yī)療衛(wèi)生與環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域。其中，相比于壓阻式壓力傳感器，電容式...
  • 用于制造具有蓋結(jié)構(gòu)的微機(jī)電裝置的方法和具有蓋結(jié)構(gòu)的微機(jī)電裝置與流程
    本發(fā)明涉及一種用于制造微機(jī)電裝置的方法和一種微機(jī)電裝置。、由現(xiàn)有技術(shù)已知微機(jī)電裝置、也稱為mems裝置和其制造方法。、us????b公開了一種微機(jī)電裝置和其制造方法。所述裝置由半導(dǎo)體材料構(gòu)成并且具有帶有多個穴腔的傳感器區(qū)域。具有穴腔入口的蓋晶圓覆蓋所述傳感器區(qū)域。、us????b說明了一種...
  • 一種鍵合結(jié)構(gòu)、慣性傳感器件和鍵合方法與流程
    本申請涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種鍵合結(jié)構(gòu)、慣性傳感器件和鍵合方法。、在mems晶圓級封裝中，共晶鍵合技術(shù)（如ge/al、ge/si體系）因其低溫工藝優(yōu)勢被廣泛用于兩個晶片之間的集成。其中，金屬共晶鍵合是一種常用的方式，具體是高溫下兩種特定金屬熔化后會發(fā)生熔融反應(yīng)，形成合金，合金以液體的...
  • MEMS膜片結(jié)構(gòu)及其制造方法與流程
    本公開涉及半導(dǎo)體器件制造，尤其涉及一種mems膜片結(jié)構(gòu)及其制造方法。、膜片結(jié)構(gòu)是微電子機(jī)械系統(tǒng)(mems)器件中的典型結(jié)構(gòu)。在傳統(tǒng)的制造工藝中，襯底上的膜片結(jié)構(gòu)通常采用雙面光刻結(jié)合背面深刻蝕的方法來實現(xiàn)。具體而言，首先在襯底的正面進(jìn)行光刻以定義器件區(qū)域，然后從襯底的背面對準(zhǔn)正面圖形并進(jìn)行光...
  • 一種應(yīng)力釋放式微同軸傳輸線的制造方法及產(chǎn)品與流程
    本發(fā)明涉及微電子機(jī)械系統(tǒng)制造，尤其涉及一種應(yīng)力釋放式微同軸傳輸線的制造方法。、在微同軸結(jié)構(gòu)的制造過程中，通常采用犧牲層工藝形成空氣填充的同軸傳輸線結(jié)構(gòu)，目前常用的犧牲層材料包括厚光刻膠或干膜，然而，這兩種技術(shù)都存在著一些問題。、當(dāng)將厚光刻膠作為犧牲層時，由于旋涂難度大，膠厚不均一，內(nèi)部應(yīng)力...
  • 本發(fā)明屬于光控微流控，具體是指集成陶瓷材料的多層結(jié)構(gòu)光控微流閥制作方法。、微流閥是微流控系統(tǒng)的核心控制元件，其性能直接決定系統(tǒng)的流體控制精度與可靠性?，F(xiàn)有微流閥主要采用聚合物（如?pdms）、金屬或玻璃作為基材：聚合物基材雖具備良好的柔韌性與光響應(yīng)適配性，但耐高溫（通常＜℃）、耐腐蝕性差，...
  • 溶液法高通量制備精準(zhǔn)定位極小尺寸圖形化原子級納米結(jié)構(gòu)的方法及應(yīng)用
    本發(fā)明涉及一種溶液法高通量制備精準(zhǔn)定位極小尺寸圖形化原子級納米結(jié)構(gòu)的方法及應(yīng)用，屬于半導(dǎo)體科學(xué)與信息材料。、電子設(shè)備的發(fā)展趨勢正在朝向更小型化、智能化和集成化方向演進(jìn)，這直接推動了芯片制造技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步，以遵循“摩爾定律”的步伐。在芯片生產(chǎn)過程中，光刻技術(shù)是最關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，也是最復(fù)雜和成本最...
  • 一種MEMS靜電剛度-阻尼調(diào)控方法
    本發(fā)明屬于mems，更具體地，涉及一種mems靜電剛度-阻尼調(diào)控方法。、mems技術(shù)可用于設(shè)計傳感器和驅(qū)動器，其中設(shè)計結(jié)構(gòu)的剛度-阻尼等系統(tǒng)參數(shù)由于存在加工誤差偏離設(shè)計值，甚至完成高質(zhì)量或高良率的制造加工。一般的解決方法包括靜電修調(diào)與后處理加工方法，前者采用mems平行板電容的方法對mem...
  • 一種MEMS器件及其封裝方法與流程
    本申請涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種mems器件及其封裝方法。、mems器件通常包含可動的微機(jī)械結(jié)構(gòu)（如梁、膜、質(zhì)量塊）以及與這些結(jié)構(gòu)相鄰的微小空腔。這些微機(jī)械結(jié)構(gòu)對周圍環(huán)境極為敏感，尤其是水汽（ho）、氧氣（o）等污染物，其可靠性高度依賴于封裝所提供的保護(hù)。、具體來說，水汽傾向于優(yōu)先沿著...
  • 硅基揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)及其制作方法、存儲介質(zhì)與流程
    本發(fā)明涉及封裝基板，尤其是涉及一種硅基揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)及其制作方法、存儲介質(zhì)。、mems（micro?electro-mechanical?systems，微機(jī)電系統(tǒng)）揚(yáng)聲器以半導(dǎo)體工藝重構(gòu)聲學(xué)為核心——用硅基微結(jié)構(gòu)的機(jī)械形變替代傳統(tǒng)揚(yáng)聲器的電磁驅(qū)動，通過壓電懸臂（xmems）或納米靜電驅(qū)動器推...
  • 一種大面積高度有序陣列結(jié)構(gòu)及其制備方法
    本發(fā)明涉及微納加工制造，尤其涉及一種大面積高度有序陣列結(jié)構(gòu)及其制備方法。、近年來，大面積、高度均勻有序的微納結(jié)構(gòu)在傳感分析檢測、太陽光譜吸收及光熱轉(zhuǎn)化等眾多領(lǐng)域中備受關(guān)注。目前已開發(fā)出納米壓印技術(shù)、電子束光刻技術(shù)、聚焦離子束光刻技術(shù)等多種微納結(jié)構(gòu)制備手段。例如，中國專利cna公開了一種無殘...
  • 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。、微機(jī)電傳感器(micro-electro-mechanical?system，簡稱mems)技術(shù)中表面硅工藝與體硅工藝相結(jié)合的soi工藝已逐漸成為高端mems的主流制造技術(shù)。在慣性傳感器、微振鏡、射頻開關(guān)等mems器件中，懸空結(jié)構(gòu)（如質(zhì)...
  • 一種微機(jī)電系統(tǒng)及機(jī)電轉(zhuǎn)化裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及機(jī)電轉(zhuǎn)化裝置，具體涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)及機(jī)電轉(zhuǎn)化裝置。、微機(jī)電系統(tǒng)包括上下正對設(shè)置的第一波紋膜和第二波紋膜，第一波紋膜與第二波紋膜之間通過間隔結(jié)構(gòu)支撐固定，第一電極設(shè)置在第一波紋膜背離第二波紋膜的一側(cè)，第二電極設(shè)置在第二波紋膜背離第一波紋膜的一側(cè)，在現(xiàn)有技術(shù)中，第一電極直接貼覆在第...
  • 混合超聲換能器系統(tǒng)的制作方法
    本公開涉及混合超聲換能器系統(tǒng)。、微機(jī)電系統(tǒng)（mems）器件通常包含在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。mems器件是包括用于實現(xiàn)機(jī)電功能的多個元件（例如，固定或可移動元件）的微型器件。在mems技術(shù)的各種應(yīng)用（例如，運(yùn)動傳感器、壓力傳感器、慣性傳感器和打印機(jī)噴嘴）中，微機(jī)械超聲換能器（mut）由于其與常規(guī)超...
  • 一種疊層式壓電MEMS結(jié)構(gòu)的制作方法
    本說明涉及mems半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種疊層式壓電mems結(jié)構(gòu)及制備方法。、mems芯片是一種將機(jī)械元件、傳感器、執(zhí)行器與電子電路集成在同一硅基板上的微型系統(tǒng)。微機(jī)電系統(tǒng)是在微電子技術(shù)（半導(dǎo)體制造技術(shù)）基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，融合了光刻、腐蝕、薄膜、liga、硅微加工、非硅微加工和精密機(jī)械加工...
  • 一種納米溝槽陣列及其制造方法與應(yīng)用
    本發(fā)明涉及納米材料，尤其是涉及一種納米溝槽陣列及其制造方法與應(yīng)用。、納米溝槽結(jié)構(gòu)能在極小空間內(nèi)構(gòu)建平行隔離區(qū)域，可用于精準(zhǔn)排列低維材料，在半導(dǎo)體器件、納米光子器件、光電子學(xué)以及納米量子電動力學(xué)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價值。在科研實驗階段，制備單個形貌可控的納米溝槽基本可滿足多數(shù)測試需求，但當(dāng)目標(biāo)...
  • 一種大面積硅納米圖案結(jié)構(gòu)及其制備方法
    本發(fā)明涉及微納加工制造，尤其涉及一種大面積硅納米圖案結(jié)構(gòu)及其制備方法。、硅納米材料是半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)與核心應(yīng)用材料之一。作為典型的一維硅納米材料，硅納米柱/硅納米線因具有高比表面積、優(yōu)異的光吸收性能及良好的光電導(dǎo)性，在微納光電子器件（如光電探測器、太陽能電池）等領(lǐng)域展現(xiàn)出突出的應(yīng)用價值...
  • 一種適用于硅和玻璃鍵合的鍵合裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及真空晶圓鍵合設(shè)備領(lǐng)域，具體為一種適用于硅和玻璃鍵合的鍵合裝置。、芯片裝備制造產(chǎn)業(yè)中，陽極鍵合技術(shù)作為晶圓級封裝（wlp）和微機(jī)電系統(tǒng)（mems）制造中的關(guān)鍵核心工藝。陽極鍵合是一種在電場和溫度共同作用下，實現(xiàn)硅片與玻璃、硅片與硅片或其他材料間高強(qiáng)度、高氣密性、低應(yīng)力永久封接的關(guān)鍵...
  • 半導(dǎo)體行為經(jīng)調(diào)整的MEMS的制作方法
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體行為經(jīng)調(diào)整的mems，特別是用于控制可移動元件的累積區(qū)和空間電荷區(qū)的實現(xiàn)。本發(fā)明進(jìn)一步涉及襯底的依賴于控制的摻雜。、在具有可移動元件(諸如可以用于例如使流體移動的可移動元件)的mems中，可以使用半導(dǎo)體材料(特別是摻雜的半導(dǎo)體材料)來實現(xiàn)電致動。這方面的示例是用于使用靜電力...
  • 面向半導(dǎo)體芯片封裝熱管理傳感測試的微尺度流道輔助結(jié)構(gòu)
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體先進(jìn)封裝與熱管理，特別是涉及面向半導(dǎo)體芯片封裝熱管理傳感測試的微尺度流道輔助結(jié)構(gòu)。、隨著芯片集成度持續(xù)提升，對微尺度熱流通道中溫度場與壓降場的高精度測量需求不斷增加。傳統(tǒng)微通道換熱實驗系統(tǒng)在結(jié)構(gòu)設(shè)計與密封可靠性方面仍存在諸多不足，制約了其在新一代封裝熱管理系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用。...
技術(shù)分類