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薄膜真空計優(yōu)化方法、裝置、電子設備及存儲介質與流程

文檔序號:42300995發(fā)布日期:2025-06-27 18:43閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種薄膜真空計優(yōu)化方法,其特征在于,包括步驟:

2.根據權利要求1所述的薄膜真空計優(yōu)化方法,其特征在于,步驟s3包括:

3.根據權利要求1所述的薄膜真空計優(yōu)化方法,其特征在于,步驟s4包括:

4.根據權利要求1所述的薄膜真空計優(yōu)化方法,其特征在于,步驟s5包括:

5.根據權利要求4所述的薄膜真空計優(yōu)化方法,其特征在于,所述根據各個所述靈敏度和各個所述線性度進行加權計算并獲取最小綜合值的步驟包括:

6.根據權利要求1所述的薄膜真空計優(yōu)化方法,其特征在于,步驟s1包括:

7.根據權利要求6所述的薄膜真空計優(yōu)化方法,其特征在于,步驟s12的具體步驟包括:

8.一種薄膜真空計優(yōu)化裝置,其特征在于,包括:

9.一種電子設備,其特征在于,包括處理器以及存儲器,所述存儲器存儲有計算機可讀取指令,當所述計算機可讀取指令由所述處理器執(zhí)行時,運行如權利要求1-7任一項所述薄膜真空計優(yōu)化方法中的步驟。

10.一種計算機可讀存儲介質,其上存儲有計算機程序,其特征在于,所述計算機程序被處理器執(zhí)行時運行如權利要求1-7任一項所述薄膜真空計優(yōu)化方法中的步驟。


技術總結
本發(fā)明提供了一種薄膜真空計優(yōu)化方法、裝置、電子設備及存儲介質,涉及真空計結構優(yōu)化技術領域。通過仿真獲取不同結構參數下的多個電容數據和多個壓力數據,并計算不同結構參數對應的靈敏度和線性度,根據各個靈敏度和各個線性度獲取最優(yōu)結構參數,最后根據最優(yōu)結構參數輸出對應的仿真模型以得到最終模型,從而保證選取的最終模型在靈敏度和線性度之間達到最佳平衡。

技術研發(fā)人員:安麗,彭冬梅,侯少毅,劉喬,楊振懷
受保護的技術使用者:季華實驗室
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/6/26
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