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本發(fā)明涉及一種包括存儲控制器的soc從存儲器中讀出數(shù)據(jù)的技術(shù)，更具體地說，涉及一種生成以dqs門控信號防止來自dqs通道噪聲干擾的技術(shù)。、soc可以通過共同使用的dq通道和數(shù)據(jù)選通信號（dqs，data?strobe?signalchannel）通道與多個存儲器連接。、當(dāng)所述soc和所述多...

本發(fā)明涉及存儲領(lǐng)域，特別是涉及一種非易失性存儲器的讀寫方法。、近年來，以電阻式隨機存取存儲器（resistive?random?access?memory,?rram）、相變存儲器（phase-change?memory,?pcm）、磁阻式隨機存取存儲器（magnetoresistiver...

本發(fā)明的實施方式涉及運算電路、存儲器系統(tǒng)以及控制方法。、在存儲器系統(tǒng)中，為了保護存儲于nand型閃存等存儲器的數(shù)據(jù)，將糾錯編碼后的數(shù)據(jù)存儲于存儲器。因此，在讀出存儲于存儲器的數(shù)據(jù)時，將從存儲器讀出的糾錯編碼后的數(shù)據(jù)(也稱為接收碼字。)解碼并恢復(fù)糾錯編碼之前的數(shù)據(jù)。、在與糾錯碼相關(guān)的技術(shù)中，...

本發(fā)明的實施方式涉及磁盤裝置。、作為磁盤裝置，已知有：在盤的半徑方向上隔開間隔地對多個軌道進行寫入的通常記錄(conventional?magnetic?recording：cmr)型(或者，以往記錄型)的磁盤裝置、在盤的半徑方向上對多個軌道進行重疊寫入的瓦記錄(shingled?magn...

本申請涉及存儲，具體涉及一種靈敏放大器及存儲器。、存儲器的一次讀操作包括多個階段，不同階段之間大量的邏輯信號切換或者同一階段中存儲數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)，都會引入大量的噪聲。、然而，受到噪聲干擾，容易導(dǎo)致靈敏放大器的工作狀態(tài)不穩(wěn)定，響應(yīng)時間變長，在相同時長的感應(yīng)數(shù)據(jù)階段中，容易造成讀失敗。技術(shù)實現(xiàn)思路...

本發(fā)明涉及計算機設(shè)備，特別涉及一種電力專業(yè)信息化數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。、數(shù)據(jù)儲存裝置是指用于存儲和保存數(shù)據(jù)的設(shè)備，包括硬盤、固態(tài)硬盤（ssd）、閃存驅(qū)動器、光盤、磁帶等。這些設(shè)備可以用于個人電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備、工業(yè)控制系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等各種場景，用來存儲操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序、文檔、照片、視頻、音樂...

本發(fā)明涉及存儲器校準(zhǔn)，具體涉及一種存儲器測試設(shè)備的inline校準(zhǔn)方法。、在半導(dǎo)體存儲器的大規(guī)模生產(chǎn)測試中，測試機（automated?test?equipment）需要向存儲器器件（dut）施加精確的電源電壓、參考電壓、時序信號（如時鐘周期、建立/保持時間）和輸入信號電壓（vih/vil...

本申請涉及dram，特別涉及dram靜電保護二極管開路故障修復(fù)方法、設(shè)備及dram模塊。、動態(tài)隨機存取存儲器（dram，dynamic?random?access?memory）作為現(xiàn)代電子設(shè)備中的核心存儲器件，廣泛應(yīng)用于計算機、移動終端、服務(wù)器及高性能計算系統(tǒng)中，用于臨時存儲運行過程中的...

本公開涉及集成電路，尤其涉及一種參考電流產(chǎn)生電路和非易失存儲器。、在傳統(tǒng)的nor?flash（一種非易失性閃存技術(shù)）芯片中會設(shè)計一個有存儲單元組成的讀操作參考陣列，在進行讀操作時，其讀操作參考陣列的字線電壓和位線電壓分別與存儲陣列的字線電壓和位線電壓一致，以實現(xiàn)對存儲陣列單元的跟蹤，進而保...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲，特別是涉及一種內(nèi)存顆粒的測試方法。、內(nèi)存存儲器(如ddr)是一種常見的存儲器,在內(nèi)存存儲器正式交付前需要對其進行讀寫測試，在對其進行讀寫測試時往往需要對內(nèi)存存儲器中各bit位的數(shù)據(jù)做覆蓋率測試。內(nèi)存顆粒是構(gòu)成內(nèi)存存儲器的核心部件，其性能和品質(zhì)直接決定了整個內(nèi)存條的容量、...

本發(fā)明涉及d?nand閃存的控制方法和控制器，并且更具體地，本發(fā)明涉及能夠增強d?nand閃存的編程性能的控制方法和控制器。、半導(dǎo)體存儲器廣泛地用在各種電子設(shè)備（諸如蜂窩電話、數(shù)字?jǐn)z像機、個人數(shù)字助理、醫(yī)學(xué)電子設(shè)備、移動計算設(shè)備和非移動計算設(shè)備）中。非易失性存儲器允許信息被存儲和保留。非易...

本申請涉及集成電路測試，具體而言，涉及一種讀擾動效應(yīng)測試方法、裝置、電子設(shè)備及可讀存儲介質(zhì)。、隨著半導(dǎo)體工藝進入深亞微米節(jié)點，晶體管的尺寸不斷縮小推動了存儲器的密度不斷提升，使得單個芯片上集成的存儲器容量顯著增大。然而，這也導(dǎo)致存儲器的抗干擾能力普遍下降，其中，讀擾動是導(dǎo)致存儲器可靠性和穩(wěn)...

本申請涉及存儲，具體涉及一種存儲芯片模組及串行接口硬盤。、sata（serial?advanced?technology?attachment，串行高級技術(shù)附件）協(xié)議自推出以來，已發(fā)展到sata?iii（gbps），其理論最大傳輸速率為mb/s，但是sata硬盤的單顆裸晶（die）的容量普...

本技術(shù)涉及硬盤安裝，尤其涉及硬盤安裝架及硬盤。、隨著計算機技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。硬盤作為數(shù)據(jù)存儲的媒介，與硬盤配套適用的硬盤安裝支架的需求日益增多。如圖所示，傳統(tǒng)的硬盤安裝支架相對的兩側(cè)上設(shè)置有若干螺釘孔，硬盤放置在硬盤安裝支架中后，通過若干螺釘與硬盤安裝支架上相對兩側(cè)的若...

本公開大體上涉及存儲器裝置，具體地說，涉及具有使用互補和正交時鐘信號的步測量初始化過程的延遲鎖定環(huán)。、本公開大體上涉及存儲器裝置。存儲器裝置可接收時鐘信號以執(zhí)行存儲器操作。所述存儲器操作可包含將輸入數(shù)據(jù)寫入存儲器裝置的存儲器單元中和讀取存儲在存儲器單元中的數(shù)據(jù)。存儲器裝置的一些電路和組件可...

本公開涉及一種包括裸片上端接（odt）電路的存儲器裝置、一種存儲控制器以及一種包括所述存儲控制器的存儲設(shè)備。、存儲設(shè)備可以包括多個非易失性存儲器裝置和用于控制多個非易失性存儲器裝置的存儲控制器。多個非易失性存儲器裝置可以包括多個裸片上端接電路以減少在分別針對存儲控制器發(fā)送和接收數(shù)據(jù)信號的過...

本申請涉及存儲，具體涉及一種存儲器的操作方法和存儲器。、具有分裂浮柵結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器件，以低成本、低功耗、可靠性高以及存取速度快等性能優(yōu)勢，在存儲器領(lǐng)域中占據(jù)了越來越重要的位置，并廣泛地應(yīng)用于消費電子領(lǐng)域。、對于非易失性存儲器的選定存儲單元施加對應(yīng)電壓以實現(xiàn)讀取操作時，需要對非易失性存...

本發(fā)明涉及微電子，尤其涉及一種實現(xiàn)易失性和非易失性存儲模式可重構(gòu)切換的方法及存儲器件。、根據(jù)存儲器件電阻狀態(tài)保持時間的不同，可將其分為易失性存儲器件與非易失性存儲器件。易失性存儲器件可用作選通管或用于模擬神經(jīng)元、突觸短程可塑性等功能；非易失性存儲器除了用于存儲信息之外，還可以模擬突觸長程可...

本技術(shù)涉及硬件保護支架，尤其涉及一種硬盤托架的支撐結(jié)構(gòu)。、伴隨著社會的高信息發(fā)展，人們對于服務(wù)器的應(yīng)用也更加廣泛。各個領(lǐng)域都將用到服務(wù)器，比如用于航天、軍事、醫(yī)藥、天氣信息、金融等領(lǐng)域。服務(wù)器的應(yīng)用越來越廣泛，那么運輸過程中服務(wù)器各模塊結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性便成了最大的問題。如何保證在運輸途中機箱及...

本公開涉及一種包含感測放大器區(qū)及i/o中斷區(qū)的設(shè)備。、高數(shù)據(jù)可靠性、高存儲器存取速度、低功耗及減小的芯片大小是半導(dǎo)體存儲器裝置(例如動態(tài)隨機存取存儲器(dram))所要求的一些特征。半導(dǎo)體存儲器裝置可包含用以存儲數(shù)據(jù)的多個存儲器單元。存儲器單元可組織在字線與位線的相交點處。字線可布置成行陣...