本公開總體涉及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。更具體地，本公開涉及控制用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的室裝置內(nèi)的環(huán)境和流動(dòng)條件。

背景技術(shù)：

1、通常通過將材料層沉積到襯底上來(lái)形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，通常通過將襯底支撐在反應(yīng)器內(nèi)的同時(shí)并在選擇的條件下暴露于材料層前體來(lái)將材料層前體沉積到襯底上。在一些半導(dǎo)體形成過程中，反應(yīng)器內(nèi)的某些環(huán)境條件內(nèi)的變化會(huì)導(dǎo)致形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的材料層的性質(zhì)變化。例如，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)期間反應(yīng)器內(nèi)的壓力變化可能導(dǎo)致某些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)的性質(zhì)變化。在形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)期間引入反應(yīng)器的流體的流量變化也可能導(dǎo)致某些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性質(zhì)變化。

2、這種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)和方法通常被認(rèn)為適合于它們的預(yù)-期目的。然而，現(xiàn)有技術(shù)中仍需要改進(jìn)的室裝置、具有室裝置的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)以及在半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的室裝置中形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的相關(guān)方法。本公開提供了對(duì)這種需求的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、提供了一種室裝置。該室裝置包括室主體、質(zhì)量流量控制器(mfc)裝置和旁路導(dǎo)管。mfc裝置聯(lián)接到室主體，并包括第一mfc裝置和第二mfc裝置。第一注射mfc裝置聯(lián)接到室主體，第二注射mfc裝置聯(lián)接到室主體并與第一注射mfc裝置并聯(lián)流體布置，旁路導(dǎo)管與室主體和mfc裝置并聯(lián)流體布置?；亓骺刂破?bpc)沿著旁路導(dǎo)管布置，并且第一注射mfc裝置和第二注射mfc裝置中的一個(gè)可操作地聯(lián)接到bpc。

2、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，室裝置的進(jìn)一步示例可以包括第一注射mfc裝置和第二注射mfc裝置中只有一個(gè)包括壓力傳感器。

3、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，室裝置的進(jìn)一步示例可以包括連接到室主體的排放導(dǎo)管和連接到mfc裝置的供應(yīng)導(dǎo)管。mfc裝置和室主體可以將供應(yīng)導(dǎo)管與排放導(dǎo)管串聯(lián)流體聯(lián)接。

4、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，室裝置的進(jìn)一步示例可以包括沿著供應(yīng)導(dǎo)管布置的處理流體分流閥和沿著排放導(dǎo)管布置的接頭或聯(lián)管節(jié)。旁路導(dǎo)管可以將接頭或聯(lián)管節(jié)聯(lián)接到處理流體分流閥。

5、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，室裝置的進(jìn)一步示例可以包括：處理流體分流閥是第一處理流體分流閥，并且室裝置還包括聯(lián)接到供應(yīng)導(dǎo)管并通過其聯(lián)接接到mfc裝置的第二處理流體分流閥，包括聯(lián)接到第一處理流體分流閥的含硅材料層前體源的第一處理流體源，以及包括聯(lián)接到第二處理流體分流閥的蝕刻劑的第二處理流體源。

6、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，室裝置的進(jìn)一步示例可以包括沿著排放導(dǎo)管布置的室壓力傳感器和壓力控制閥。壓力控制閥可以沿著排放導(dǎo)管布置。壓力控制閥可通過室壓力傳感器聯(lián)接到室主體。

7、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，室裝置的進(jìn)一步示例可以包括：第一注射mfc裝置包括支撐入口端口、出口端口和信號(hào)端口的殼體；流量傳感器，其布置在殼體內(nèi)并聯(lián)接到入口端口；以及布置在殼體內(nèi)并將流量傳感器聯(lián)接到出口端口的流量控制閥。第一注射mfc本地控制器可布置在殼體內(nèi)并聯(lián)接到信號(hào)端口，以通過信號(hào)端口將第一注射mfc流量測(cè)量傳送到系統(tǒng)控制器，并通過信號(hào)端口接收第一注射mfc流量設(shè)定。

8、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，室裝置的進(jìn)一步示例可以包括將流量傳感器聯(lián)接到信號(hào)端口的跳線引線和記錄在第一注射mfc本地控制器的存儲(chǔ)器上的跳線模塊中的至少一個(gè)，以通過信號(hào)端口將第一注射mfc流量測(cè)量中繼到系統(tǒng)控制器，并且通過信號(hào)端口從系統(tǒng)控制器接收第一注射mfc流量設(shè)定。

9、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，室裝置的進(jìn)一步示例可以包括：第二注射mfc裝置包括支撐入口端口、出口端口和信號(hào)端口的殼體；布置在殼體內(nèi)并聯(lián)接到入口端口的壓力傳感器；布置在殼體內(nèi)并聯(lián)接到壓力傳感器的流量傳感器；以及布置在殼體內(nèi)并將流量傳感器聯(lián)接到出口端口的流量控制閥。第二注射mfc本地控制器可布置在殼體內(nèi)并聯(lián)接到信號(hào)端口，以通過信號(hào)端口將供應(yīng)壓力測(cè)量和第一注射mfc流量測(cè)量傳送到系統(tǒng)控制器，并通過信號(hào)端口接收第二注射mfc流量設(shè)定。

10、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，室裝置的進(jìn)一步示例可以包括將流量傳感器聯(lián)接到信號(hào)端口的跳線引線和記錄在包括在第二注射mfc本地控制器中的存儲(chǔ)器上的跳線模塊中的至少一個(gè)，以通過其將供應(yīng)壓力測(cè)量和第二注射mfc裝置流量測(cè)量中繼到系統(tǒng)控制器，并通過其從系統(tǒng)控制器接收第二注射mfc流量設(shè)定。

11、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，室裝置的進(jìn)一步示例可以包括：bpc包括支撐入口端口、出口端口和信號(hào)端口的殼體；布置在殼體內(nèi)并聯(lián)接到入口端口的電容壓力計(jì)；布置在殼體內(nèi)并將電容壓力計(jì)聯(lián)接到出口端口的流量控制閥；以及聯(lián)接到信號(hào)端口的布置在殼體內(nèi)的bpc本地控制器。bpc本地控制器可以響應(yīng)于記錄在存儲(chǔ)器上的指令，以通過信號(hào)端口從系統(tǒng)控制器接收背壓設(shè)定點(diǎn)；從電容壓力計(jì)接收背壓測(cè)量；將背壓測(cè)量與背壓設(shè)定點(diǎn)進(jìn)行比較；以及當(dāng)背壓測(cè)量比背壓設(shè)定點(diǎn)大預(yù)定背壓差值時(shí)，調(diào)節(jié)旁路導(dǎo)管內(nèi)的背壓。

12、提供了一種半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。半導(dǎo)體處理系統(tǒng)包括如上所述的室裝置，其中mfc裝置將供應(yīng)導(dǎo)管流體聯(lián)接到排放導(dǎo)管；沿著供應(yīng)導(dǎo)管布置的處理流體分流閥和沿著排放導(dǎo)管布置的接頭或聯(lián)管節(jié)，其中旁路導(dǎo)管將處理流體分流閥聯(lián)接到接頭或聯(lián)管節(jié)；以及系統(tǒng)控制器。系統(tǒng)控制器可操作地將mfc裝置聯(lián)接到bpc，并且響應(yīng)于記錄在存儲(chǔ)器上的指令，以接收由第一注射mfc裝置和第二注射mfc裝置中的一個(gè)獲取的來(lái)自mfc裝置的供應(yīng)壓力測(cè)量；接收供應(yīng)與旁路差值；使用供應(yīng)壓力測(cè)量和供應(yīng)與旁路差值來(lái)確定背壓設(shè)定點(diǎn)；以及將背壓設(shè)定點(diǎn)傳送到bpc，以使用供應(yīng)壓力測(cè)量來(lái)調(diào)節(jié)旁路導(dǎo)管內(nèi)的背壓。

13、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的進(jìn)一步示例可以包括記錄在存儲(chǔ)器上的指令進(jìn)一步使控制器在第一處理流體穿過第一注射mfc裝置時(shí)獲取第一處理流體的第一注射mfc裝置流量測(cè)量，當(dāng)?shù)谝惶幚砹黧w穿過第二注射mfc裝置時(shí)獲取第一處理流體的第二注射mfc裝置流量測(cè)量，使用第一注射mfc裝置流量測(cè)量和第二注射mfc裝置流量測(cè)量確定第一注射mfc裝置設(shè)定點(diǎn)，使用第一注射mfc裝置流量測(cè)量和第二注射mfc裝置流量測(cè)量確定第二注射mfc裝置設(shè)定點(diǎn)，以及將第一注射mfc裝置設(shè)定點(diǎn)傳送到第一注射mfc裝置，并將第二注射mfc裝置設(shè)定點(diǎn)傳送到第二mfc裝置。

14、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的進(jìn)一步示例可以包括確定背壓設(shè)定點(diǎn)包括將供應(yīng)與旁路差值加到供應(yīng)壓力測(cè)量。

15、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的進(jìn)一步示例可以包括供應(yīng)與旁路差值為零。

16、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的進(jìn)一步示例可以包括供應(yīng)與旁路差值是非零值。

17、提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括將襯底安置在室主體內(nèi)，使用第一注射mfc裝置和第二注射mfc裝置將第一處理流體流入室主體內(nèi)，使用第一處理流體在襯底上形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以及使用由第一注射mfc裝置和第二注射mfc裝置中的一個(gè)獲取的供應(yīng)壓力測(cè)量，通過bpc調(diào)節(jié)與mfc裝置和室裝置并聯(lián)流體布置的旁路導(dǎo)管內(nèi)的背壓。

18、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，該方法的進(jìn)一步示例可以包括第一處理流體包括含硅材料層前體，并且第二處理流體包括蝕刻劑。該方法還可以包括停止至室裝置的第一處理流體流；將第二處理流體流從旁路導(dǎo)管切換到室裝置；以及使用第二處理流體去除使用第一處理流體沉積到襯底上的一部分含硅材料層。

19、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，該方法的進(jìn)一步示例可以包括第一注射mfc裝置不包括壓力傳感器。調(diào)節(jié)旁路導(dǎo)管內(nèi)的壓力可以包括：使用第二注射mfc裝置獲取供應(yīng)壓力測(cè)量；使用供應(yīng)壓力測(cè)量和供應(yīng)與壓力差值來(lái)確定背壓設(shè)定點(diǎn)；以及在將材料層沉積到襯底上期間，接收bpc處的背壓設(shè)定點(diǎn)和根據(jù)背壓設(shè)定點(diǎn)調(diào)節(jié)旁路導(dǎo)管內(nèi)的背壓。

20、除了上述的一個(gè)或多個(gè)特征之外，或者作為替代，該方法的進(jìn)一步示例可以包括當(dāng)?shù)谝惶幚砹黧w穿過第一注射mfc裝置時(shí)獲取第一處理流體的第一注射mfc裝置流量測(cè)量，當(dāng)?shù)谝惶幚砹黧w穿過第二注射mfc裝置時(shí)獲取第一處理流體的第二注射mfc裝置流量測(cè)量，使用第一注射mfc裝置流量測(cè)量和第二注射mfc裝置流量測(cè)量確定第一注射mfc裝置設(shè)定點(diǎn)，使用第一注射mfc裝置流量測(cè)量和第二注射mfc裝置流量測(cè)量確定第二注射mfc裝置設(shè)定點(diǎn)，以及將第一注射mfc裝置設(shè)定點(diǎn)傳送到第一注射mfc裝置，并將第二注射mfc裝置設(shè)定點(diǎn)傳送到第二注射mfc裝置。

21、提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。可以使用形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法來(lái)形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。

22、提供了一種半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件可以包括使用形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體器件可以具有全柵極架構(gòu)、鰭式架構(gòu)或三維動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器架構(gòu)。

23、提供本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
是為了以簡(jiǎn)化的形式介紹一些概念。這些概念在以下公開內(nèi)容的示例的詳細(xì)描述中被進(jìn)一步詳細(xì)描述。本發(fā)明內(nèi)容不旨在標(biāo)識(shí)所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護(hù)的主題的范圍。