等離子體處理裝置以及電子部件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的等離子體處理裝置以及電子部件的制造方法在對基板進行等離子體處理時，高效地對基板和保持該基板的搬運載體進行冷卻。等離子體處理裝置對載體所保持的基板進行等離子體處理，載體具備在基板的周圍配置的框架、和保持基板以及框架的保持片，等離子體處理裝置具備：腔室；工作臺，其配置在腔室內，且具有搭載載體的上表面；氣體孔，其設置在上表面的與框架的底面對置的位置，且向工作臺與載體之間供給冷卻用氣體；以及等離子體激發(fā)裝置，其在腔室內產生等離子體。
【專利說明】
等離子體處理裝置以及電子部件的制造方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種用于對具備框架和保持片的搬運載體所保持的基板進行等離子體處理的等離子體處理裝置以及使用該等離子體處理裝置的電子部件的制造方法，尤其涉及等離子體處理時的基板的冷卻。
【背景技術】
[0002]—直以來，已知有用于以在保持片上保持基板的狀態(tài)下進行等離子體處理的等離子體處理裝置。在上述的等離子體處理裝置中，將保持基板的載體(搬運載體)作為處理對象而進行等離子體處理。搬運載體具有在基板的周圍配置的框架、和保持基板以及框架的保持片。因此，等離子體處理裝置具備:腔室;配置在腔室內且具有搭載搬運載體的上表面的工作臺；以及在腔室內產生等離子體的等離子體激發(fā)裝置。工作臺通常具備用于使搬運載體緊貼在工作臺上的靜電吸附機構(專利文獻I)。
[0003]在先技術文獻
[0004]專利文獻1:國際公開2012/164857號小冊子
[0005]—直以來，通過使保持有基板的搬運載體靜電吸附在冷卻后的工作臺上，從而獲得抑制等離子體處理中的基板溫度的上升的效果。
[0006]在處理對象不是上述的搬運載體而是基板單體的情況下，通過使基板靜電吸附在工作臺上，并且從在工作臺表面上設置的氣體孔向基板背面供給He等導熱氣體作為冷卻用氣體，能夠進一步提尚冷卻效率。
[0007]然而，在處理對象不是基板單體而保持于搬運載體的情況下，在使用導熱氣體的冷卻效率的提高方面存在以下的課題。具體而言，在將導熱氣體向搬運載體的背面供給的情況下，氣體孔上的保持片有時會在導熱氣體的壓力的作用下延伸而導致在等離子體處理中產生異常放電。因此，無法大幅提高導熱氣體的壓力，難以提高冷卻效率。

【發(fā)明內容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體處理裝置以及電子部件的制造方法，在對基板進行等離子體處理時，該等離子體處理裝置能夠高效地對基板和保持該基板的搬運載體進行冷卻，該電子部件的制造方法包括通過使用該等離子體處理裝置對基板進行等離子體處理而從基板獲得電子部件的工序。
[0009]本發(fā)明的一方面涉及對載體所保持的基板進行等離子體處理的等離子體處理裝置，其中，所述載體具備在所述基板的周圍配置的框架、和保持所述基板以及所述框架的保持片，所述等離子體處理裝置具備:腔室;工作臺，其配置在所述腔室內，且具有搭載所述載體的上表面;氣體孔，其設置在所述上表面的與所述框架的底面對置的位置，且向所述工作臺與所述載體之間供給冷卻用氣體；以及等離子體激發(fā)裝置，其在所述腔室內產生等離子體。
[0010]本發(fā)明的另一方面涉及使用等離子體處理裝置的電子部件的制造方法，該等離子體處理裝置具備:腔室;配置在所述腔室內的工作臺；在所述工作臺的上表面上設置的氣體孔；以及等離子體激發(fā)裝置，其中，所述電子部件的制造方法包括:準備工序，準備對作為電子部件的前體的基板進行保持的載體;搭載工序，將保持有所述基板的所述載體搭載在所述工作臺的所述上表面上;氣體供給工序，在所述搭載工序之后，從所述氣體孔向所述工作臺與所述載體之間供給冷卻用氣體；以及等離子體工序，在所述搭載工序之后，利用由所述等離子體激發(fā)裝置在所述腔室內產生的等離子體來對所述基板進行等離子體處理而獲得所述電子部件，所述載體具備在所述基板的周圍配置的框架、和保持所述基板以及所述框架的保持片，所述氣體孔設置在所述上表面的與所述框架的底面對置的位置。
[0011]發(fā)明效果
[0012]根據本發(fā)明，能夠尚效地對保持有被等尚子體處理的基板(例如，形成有電路的基板或電子部件的前體)的搬運載體進行冷卻。
【附圖說明】
[0013]圖1是簡要示出本發(fā)明的一個實施方式所涉及的等離子體處理裝置的剖視圖。
[0014]圖2是示出保持有圖1中的基板的搬運載體的一例的俯視圖(a)及其IIb-1Ib線剖視圖(b)。
[00? 5]圖3是示意性地示出圖1的工作臺11的俯視圖。
[0016]圖4是沿A-B-C剖開圖3的工作臺11的概要剖視圖。
[0017]圖5是示意性地示出另一實施方式所涉及的等離子體處理裝置的按壓機構部分的剖視圖。
[0018]圖6是圖5中的按壓機構、基板以及搬運載體的俯視圖。
[0019]圖7是示意性地示出又一實施方式所涉及的等離子體處理裝置的按壓機構部分的剖視圖。
[0020]圖8是圖7中的按壓機構、基板以及搬運載體的俯視圖。
[0021]圖9是示意性地示出其他實施方式所涉及的等離子體處理裝置的按壓機構部分的剖視圖。
[0022 ]圖1O是圖9中的按壓機構、基板以及搬運載體的俯視圖。
[0023]附圖標記說明:
[0024]I:等離子體處理裝置，2:基板，3:腔室，3a:氣體導入口，3b:排氣口，4:搬運載體，5:處理室，6:保持片，6a:粘結面，6b:非粘結面，7:框架，8:電介質壁，9:上部電極(天線)，1A:第一高頻電源，1B:第二高頻電源，11:工作臺，12:工藝氣體源，14:減壓機構，15:電極部，15a:冷卻液流路，15b:電介質部，15c:金屬部，16:基臺，17:外裝部，18:載置面(工作臺11的上表面)，19:框架升降銷，21:冷卻液循環(huán)裝置，22a:靜電吸附用電極，22b:下部電極，23:直流電源，24:罩，24a:頂部，24b:周側部，25:窗部，26a:第一升降桿，26b:第二升降桿，
27:驅動機構，28:控制裝置，29、39、49、59:按壓機構，30:氣體孔，31:冷卻用氣體的流路，32:冷卻用氣體源，33:第一區(qū)域，34:第二區(qū)域，35:第三區(qū)域，39&、49&:環(huán)狀罩，3913、4913、59b:按壓構件(彈性體)。
【具體實施方式】
[0025]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行更為詳細地說明。但是，本發(fā)明并不局限于這些實施方式，能夠包括這些實施方式的變形以及改善。
[0026]圖1是簡要示出本發(fā)明的第一實施方式所涉及的等離子體處理裝置(等離子體蝕刻裝置)1的結構的剖視圖。圖2是示出保持有圖1中的基板2的搬運載體4的一例的俯視圖(a)及其IIb-1Ib線剖視圖(b)。
[0027]搬運載體4具備在基板2的周圍配置的環(huán)狀的框架7和保持片6。保持片6具備具有粘結劑的面(粘結面6a)和不具有粘結劑的面(非粘結面6b)，利用粘結面6a來保持基板2以及框架7?？蚣?具有剛性，保持片6能夠彈性地伸展。
[0028]等離子體處理裝置I是對搬運載體4所保持的基板2進行等離子體處理例如等離子體切片的裝置。等離子體切片是指，通過利用了等離子體的干式蝕刻將例如形成有多個集成電路(IC)的娃片(Si I icon wafer)等基板2以分界線(直線)切斷而單片化為多個IC(電子部件)的工法。
[0029]等離子體處理裝置I具備:具有能夠減壓的處理室5的腔室(真空容器)3;向處理室5供給工藝氣體(process gas)的工藝氣體供給部;對處理室5進行減壓的減壓機構14;以及在處理室5中產生等離子體的等離子體激發(fā)裝置。在處理室5內(更具體為處理室5的底部側)配置有工作臺11，該工作臺11對保持有基板2的搬運載體4進行載置。保持有基板2的搬運載體4從形成在腔室3上的能夠開閉的出入口(未圖示)被搬入處理室5。而且，搬運載體4被載置或者搭載為，在露出基板2的一個主面的狀態(tài)下，與基板相反的一側的面與工作臺11的上表面接觸。
[0030]工藝氣體供給部包括收容向處理室5供給的工藝氣體的工藝氣體源12和從工藝氣體源12向處理室5供給工藝氣體的配管(未圖示)。腔室3具有與處理室5連續(xù)的氣體導入口3a，等離子體產生所需要的工藝氣體從工藝氣體源12通過配管而向氣體導入口 3a供給。[0031 ] 腔室3具有與處理室5連續(xù)的排氣口 3b，減壓機構14與該排氣口 3b連接。減壓機構14例如包括真空栗。減壓機構14通過排氣口 3b而從處理室5內排氣，由此對處理室5內進行減壓。
[0032]等離子體激發(fā)裝置包括上部電極(天線)9和與上部電極9電連接的高頻電源10A。上部電極9設置在對處理室5的頂部進行封閉的電介質壁8的上方。上部電極9通過來自高頻電源(第一高頻電源)10A的電壓的施加而產生電磁波，使充滿于處理室內的工藝氣體電離，由此產生等離子體。搬運載體4在使保持基板2的面朝向上部電極9的狀態(tài)下載置于工作臺
11。基板2的一個主面(與保持片6相反的一側的主面)朝向上部電極9露出，因此能夠使由上部電極9產生的等離子體中的離子、自由基射入，由此能夠進行基板2的蝕刻。
[0033]工作臺11配置在處理室5的底部側，且具備電極部15和保持電極部15的基臺16。電極部15以及基臺16的外周由外裝部17包圍。電極部15由薄的電介質部15b和支承電介質部15b的金屬部15c構成，所述電介質部15b具有用于對搬運載體4進行載置的載置面18。
[0034]在工作臺11的電極部15的內部設置下部電極22b，下部電極22b與高頻電源(第二高頻電源)10B連接。通過對下部電極22b施加來自第二高頻電源1B的偏壓電壓，能夠控制等離子體中的離子向基板2射入時的能量。
[0035]在構成工作臺11的金屬部15c的內部設有使冷卻液(冷卻水等)流通的流路15a。冷卻液循環(huán)裝置21與流路15a連通，且使溫度調節(jié)后的冷卻液在流路15a內循環(huán)。通過使冷卻液在工作臺11內循環(huán)，從而能夠有效地冷卻工作臺11。
[0036]在工作臺11內置有靜電吸附用電極22a。靜電吸附用電極22a與直流電源23電連接。靜電吸附用電極22a優(yōu)選內置在構成工作臺11的電介質部15b的載置面18的附近。在圖示例中，靜電吸附用電極22a配置在下部電極22b的上方。通過從直流電源23向靜電吸附用電極22a施加電壓，從而工作臺11作為靜電卡盤而發(fā)揮功能，能夠使基板2按照搬運載體4而緊貼在載置面(即工作臺11的上表面)18上。工作臺11由于如上述那樣被冷卻液冷卻，因此通過使搬運載體4緊貼在工作臺11的上表面18上，能夠對搬運載體4和基板2進行冷卻。靜電吸附用電極22a可以是雙極型，也可以是單極型。
[0037]工作臺11具備向工作臺11的上表面18與搬運載體4(具體為搬運載體的背面)之間供給冷卻用氣體的氣體孔30。
[0038]從收容冷卻用氣體(例如，氦氣等導熱氣體)的冷卻用氣體源32經由配管31而向氣體孔30供給冷卻用氣體。從氣體孔30向工作臺11的上表面18與搬運載體4之間供給的冷卻用氣體促進工作臺11與搬運載體4之間的導熱。如上所述，搬運載體4通過靜電吸附于冷卻后的工作臺11而被冷卻，通過供給冷卻用氣體，能夠進一步提高基板2以及搬運載體4的冷卻效率。
[0039]在本發(fā)明的實施方式中，將氣體孔30形成在工作臺11的上表面18(具體為電極部15的上表面)中的與框架7的底面對置的位置很重要。當在工作臺11的上表面18中的與基板2的底面對置的位置設置氣體孔30時，受到氣體孔30的影響，有時會在工作臺的上表面產生局部的溫度等的偏差。被等離子體切片的基板2的厚度小，并且隔著薄的保持片6而載置在上表面18上。因此，有時上述的偏差會對基板2的加工形狀造成影響，例如，會產生氣體孔30的形狀轉印在基板2的加工表面上等不良狀況。
[0040]在切片結束時，基板2被單片化而搬運載體4的帶電狀態(tài)發(fā)生變化，搬運載體4與工作臺11之間的靜電吸附力變弱。此時，當在與基板2的底面對置的位置設有氣體孔30時，由于氣體孔30附近的冷卻用氣體的壓力高，因此氣體孔30附近的保持片6按照基板2而浮起，有時會產生加工形狀的異常、異常放電等麻煩。
[0041]另外，由于保持片6具有彈性，因此在工作臺11的上表面18中，當在與基板2的底面以及框架7的底面中的任一者均不對置的位置(即搬運載體4的僅存在保持片6的位置)設置氣體孔30時，在冷卻用氣體的壓力的作用下，氣體孔30附近的保持片6伸展或者在保持片6上產生皺褶，從而片的緊貼性降低。其結果是，有時因冷卻不足而在保持片6上產生燒傷、或者產生異常放電。在保持片6由難以靜電吸附的絕緣性材料形成的情況下，由于上述保持片6的緊貼性發(fā)生惡化而容易產生不良狀況。
[0042]通過將氣體孔30形成在工作臺11(具體為電極部15)的上表面18中的與框架7的底面對置的位置(優(yōu)選僅是與框架7的底面對置的位置)，從而冷卻用氣體經由保持片6而向框架7的底面供給。由于上表面18以及搬運載體4的背面各自所具有的粗糙度，從而在工作臺11的上表面18與搬運載體4之間形成微小的間隙。向框架7供給的冷卻用氣體在上表面18與搬運載體4之間不可避免地形成的該間隙內擴散，從而促進基板2以及搬運載體4的冷卻。
[0043]需要說明的是，由于處理室5內被減壓，因此從上表面18與搬運載體4之間的空間向處理室5內漏出的冷卻用氣體借助減壓機構14而從處理室5排出?？蚣?具有適度的剛性，即便供給冷卻用氣體也不會發(fā)生變形，因此不產生異常放電。如此，在本實施方式中，能夠抑制由于氣體孔30的配置而產生的異常放電等不良狀況。另外，氣體孔30不配置在與基板2的底面對置的位置，因此也不會產生氣體孔30的形狀轉印在基板2的加工表面上等不良狀況。
[0044]在工作臺11上(具體為電極部15的表面)形成的氣體孔30可以設置有一個，但從盡可能均勻且高效地對基板2以及搬運載體4進行冷卻的觀點出發(fā)，優(yōu)選設置有多個。例如，也可以在與框架7的底面對置的位置隔開間隔而呈環(huán)狀地形成多個氣體孔30。此時，也可以將氣體孔30沿著框架7的形狀以規(guī)定間隔(例如5?I OOmm間隔，優(yōu)選30?70mm間隔)設置。在該情況下，在工作臺11上形成的氣體孔30的數量也可以根據框架7的直徑而設定。例如，在框架7的直徑為300mm的情況下，在工作臺11上形成的氣體孔30的數量優(yōu)選為13?29個。另外，例如在框架7的直徑為400mm的情況下，在工作臺11上形成的氣體孔30的數量優(yōu)選為17?41個。
[0045]在工作臺11上設有貫穿工作臺11的多個框架升降銷19。搬運載體4向處理室5的搬入以及搬出通過上述框架升降銷19與未圖示的搬運臂的配合來進行。框架升降銷19被規(guī)定的驅動機構27驅動升降?？蚣苌典N19能夠在等離子體處理裝置I的下降位置(處理位置)與上升位置之間移動，所述上升位置是在框架升降銷19與搬運臂之間進行搬運載體4的交接的位置。搬運載體4與框架升降銷19一起升降。當框架升降銷19下降時，進行向工作臺11載置搬運載體4的操作。
[0046]在處理室5內的工作臺11的上方設置有罩24，在進行等離子體處理時，該罩24對在工作臺11上載置的搬運載體4的保持片6的一部分和框架7進行覆蓋。罩24的外形輪廓為圓形，也可以形成為充分大于搬運載體4的外形輪廓。罩24具有環(huán)形的頂部24a和從頂部24a的周緣經由彎曲部而向工作臺11側延伸的筒狀的周側部24b，在頂部24a的中央具有圓形的窗部25。在進行等離子體處理時，優(yōu)選頂部24a覆蓋保持片6的一部分和框架7的至少一部分，窗部25使基板2的至少一部分向等離子體露出。在頂部24a的窗部25的周圍形成有朝向中央部而標高逐漸變低的錐狀凹陷。
[0047]在罩24覆蓋框架7時，罩24的周側部24b的下端部與工作臺11接觸。周側部24b的下端部與貫穿工作臺11的一個以上(在本實施方式中為兩個)的第一升降桿26a的上端部連結，且能夠升降。第一升降桿26a被規(guī)定的驅動機構27驅動升降，且罩24與第一升降桿26a—起升降。具體而言，罩24能夠在對搬運載體4的保持片6的一部分和框架7進行覆蓋的下降位置、與進行搬運載體4的搬入以及搬出時的上升位置之間上下移動。
[0048]在圖1中，在工作臺11的上方且罩24所覆蓋的位置設有按壓機構29。按壓機構29對框架7相對于工作臺11的上表面18進行按壓。在圖示例中，按壓機構29與罩24獨立地設置，且被罩24覆蓋。按壓機構29與貫穿工作臺11的一個以上(在本實施方式中為兩個)的第二升降桿26b的上端部連結。第二升降桿26b被圖1所簡要示出的驅動機構27驅動升降，由此按壓機構29進行升降。按壓機構29能夠在對框架7相對于上表面18進行按壓的下降位置、與進行搬運載體4的搬入以及搬出時的上升位置之間移動。在下降位置處，按壓機構29對框架7相對于上表面18進行按壓。
[0049]按壓機構29對在工作臺11的上表面18上載置的搬運載體4的框架7相對于上表面18進行按壓而矯正框架的變形，由此能夠減少在框架7與上表面18之間形成起因于變形的間隙的情況。通過在框架7部分提高搬運載體4與上表面18之間的緊貼性，能夠減少冷卻用氣體從框架7的外緣向處理室內的漏出，促進冷卻用氣體向配置有基板2的、搬運載體4的中央部分迂回。因而，在等離子體處理裝置I具備按壓機構29的情況下，能夠進一步提高搬運載體4以及基板2的冷卻效率。
[0050]等離子體處理裝置I的各要素的動作被圖1所簡要示出的控制裝置28控制。在此，等離子體處理裝置I的要素包括第一高頻電源1A及第二高頻電源10B、工藝氣體源12、減壓機構14、冷卻液循環(huán)裝置21、冷卻用氣體源32、直流電源23以及驅動機構27等。更具體而言，驅動機構27根據來自控制裝置28的指令來控制框架升降銷19、第一升降桿26a以及第二升降桿26b的各動作。
[0051 ]圖3是示意性地示出圖1的工作臺11的俯視圖，圖4是沿A-B-C剖開圖3的工作臺11的概要剖視圖。需要說明的是，圖4示出罩24以及按壓構件29處于上升位置的情況下的狀
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[0052]工作臺11的上表面(與搬運載體4對置的主面)18具有:具有氣體孔30的環(huán)狀的第一區(qū)域33和在第一區(qū)域33的周圍形成的第二區(qū)域34。第二區(qū)域34呈環(huán)狀。在第一區(qū)域33的內側形成有第三區(qū)域35。第一區(qū)域33隔著保持片6而與框架7對置。第二區(qū)域34的至少一部分(具體為第一區(qū)域33側的區(qū)域)優(yōu)選與框架7對置，也可以隔著保持片6而與框架7對置。第三區(qū)域35與保持片6對置，且隔著保持片6而與基板2對置，但第三區(qū)域35的至少一部分(具體為第一區(qū)域33側的區(qū)域)也可以隔著保持片6而與框架7對置。
[0053]在圖示例中，在工作臺11上呈環(huán)狀且以均等間隔形成有四個氣體孔30。另外，與氣體孔30—并形成有將對搬運載體4的搬運進行輔助的框架升降銷19收容為能夠升降的孔，向該孔插入框架升降銷19。在圖示例中，在第一區(qū)域33均等地設有四個框架升降銷19，且設有使罩24進行升降的兩個第一升降桿26a、以及使按壓機構29進行升降的兩個第二升降桿26b。圖4示出框架升降銷19處于下降位置的情況下的狀態(tài)。需要說明的是，在圖1中，為了便于說明，雖然一并示出氣體孔30和框架升降銷19，但如圖3以及圖4所示，框架升降銷19和氣體孔30優(yōu)選隔開間隔而交替配置。
[0054]第三區(qū)域35的粗糙度與第一區(qū)域33的粗糙度可以為同等程度，但第二區(qū)域34的粗糙度優(yōu)選比第一區(qū)域33的粗糙度小。需要說明的是，第一區(qū)域、第二區(qū)域以及第三區(qū)域的粗糙度可以用算術平均粗糙度Ra來進行評價。第一區(qū)域的算術平均粗糙度Ral優(yōu)選為1.6?2μm，第二區(qū)域的算術平均粗糙度Ra2優(yōu)選為0.1?1.2μπι。算術平均粗糙度Ra2以及Ral優(yōu)選在上述范圍內滿足Ra2 < Ral的條件。
[0055]在第二區(qū)域的粗糙度比第一區(qū)域的粗糙度小的情況下，在框架7部分容易提高搬運載體4與工作臺11的緊貼性，從而抑制自氣體孔30供給的冷卻用氣體從第一區(qū)域向外側泄漏。另外，冷卻用氣體向保持基板2的搬運載體4的中央部分迅速迂回，從而能夠高效地對基板2以及搬運載體4進行冷卻。通過在框架7部分提高搬運載體4與工作臺11的緊貼性，也能夠高效地冷卻框架7部分。因而，能夠進一步提高冷卻效果。尤其是在利用按壓機構對框架7部分相對于工作臺11進行按壓的情況下，容易進一步提高冷卻效果。
[0056]第一區(qū)域的內側的第三區(qū)域的粗糙度、具體地說是算術平均粗糙度Ra3也可以是第一區(qū)域中的Rai以下(Rd^RaI)13Ra3例如也可以是0.8Ral< Ra3^Ral。
[0057]第一區(qū)域的粗糙度(具體為Ral)能夠通過對工作臺的上表面中的相當于第一區(qū)域的區(qū)域進行研磨或者噴砂加工來調節(jié)。例如，在平滑地加工了工作臺11的上表面18整體之后，通過對相當于第一區(qū)域33的區(qū)域進行研磨或者噴砂加工，能夠增大研磨部分或者噴砂加工部分的粗糙度。在該情況下，當僅對工作臺11的上表面18中的相當于第一區(qū)域33的區(qū)域進行研磨或者噴砂加工時，與第一區(qū)域33—起形成具有原來的工作臺11的上表面18的粗糙度的第二區(qū)域34以及第三區(qū)域35。在該情況下，第二區(qū)域34與第三區(qū)域35的粗糙度為同等程度。另外，當對相當于第一區(qū)域33以及第三區(qū)域35的區(qū)域進行研磨或者噴砂加工時，與第二區(qū)域34—起形成粗糙度為同等程度的第一區(qū)域33以及第三區(qū)域35。
[0058]從抑制冷卻用氣體向搬運載體4的外側泄漏的觀點出發(fā)，第二區(qū)域34的最大高度優(yōu)選比第一區(qū)域33的最大高度高。第一區(qū)域33的最大高度比第二區(qū)域34低，由此從氣體孔30釋放出的冷卻用氣體容易充滿第一區(qū)域33及其內側的區(qū)域，從而容易提高冷卻用氣體所帶來的冷卻效果。第三區(qū)域35的最大高度可以與第二區(qū)域34的最大高度相同(同等程度)，也可以與第一區(qū)域33的最大高度相同(同等程度)。在第三區(qū)域35的最大高度與第二區(qū)域34的最大高度為同等程度的情況下，在第三區(qū)域35能夠確保工作臺11的上表面18與搬運載體4的高緊貼性，因此容易獲得與冷卻后的工作臺11的接觸所帶來的搬運載體4的冷卻效果。在第三區(qū)域35的最大高度與第一區(qū)域33的最大高度為同等程度的情況下，由于冷卻用氣體向第一區(qū)域33以及第三區(qū)域35迅速迂回，因此容易獲得冷卻用氣體所帶來的冷卻效果。
[0059]可以通過對工作臺11的上表面18進行研磨或者噴砂加工來降低最大高度。例如，通過對工作臺11的上表面18中的相當于第一區(qū)域33的區(qū)域進行研磨或者噴砂加工，能夠形成第二區(qū)域34、和最大高度比第二區(qū)域34低的第一區(qū)域33。在該情況下，第三區(qū)域35的最大高度與第二區(qū)域34的最大高度成為同等程度。另外，當對相當于第一區(qū)域33以及第三區(qū)域35的區(qū)域進行研磨或者噴砂加工時，能夠使第三區(qū)域35的最大高度與第一區(qū)域33的最大高度成為同等程度。
[0060]需要說明的是，本說明書中，最大高度基本上是指在各區(qū)域中距規(guī)定的位置(例如，電介質層15b的底面)的高度為最高的部分的高度，但也可以是針對各區(qū)域的規(guī)定的范圍而求出的最大高度(極大高度)。需要說明的是，最大高度相同或者為同等程度是指，一方的區(qū)域的最大高度與另一方的區(qū)域的最大高度之差處于例如O?1.2μπι的范圍內的情況。例如，第二區(qū)域(或者第一區(qū)域)的最大高度與第三區(qū)域的最大高度相同的情況是指，第三區(qū)域的最大高度與第二區(qū)域(或者第一區(qū)域)的最大高度之差處于O?1.2μπι的范圍內的情況。
[0061]需要說明的是，第一區(qū)域可以不是平坦的，也可以在第一區(qū)域中形成有用于使冷卻用氣體流動的槽。通過形成槽，能夠使從氣體孔30供給的冷卻用氣體迅速地遍布第一區(qū)域的整個區(qū)域。另外，代替在第一區(qū)域形成槽，在與第一區(qū)域對置的框架7的底面上形成槽也可以獲得同樣的效果。
[0062]在圖1中，無需一定設置罩24，也可以代替罩24而使按壓機構29具有自等離子體阻隔框架7的功能。
[0063]圖5以及圖7分別示意性地示出在按壓機構具有自等離子體阻隔框架7的功能的情況下的按壓機構部分的剖視圖。圖6以及圖8分別是在具備圖5以及圖7所示的按壓機構的情況下的按壓機構、基板以及搬運載體的俯視圖。
[0064]圖5以及圖6的按壓機構39包括:以覆蓋框架7的方式形成的環(huán)狀罩39a;和在環(huán)狀罩39a的與框架7對置的一側形成的螺旋彈簧等彈性體(按壓構件)3%。在圖示例中，環(huán)狀罩39a形成為不僅覆蓋框架7，還覆蓋框架7與基板2之間的保持片6的大部分的區(qū)域，從而能夠在等離子體處理中有效地抑制框架7以及保持片6暴露在等離子體中。按壓機構39在下降位置處借助彈性體39b的彈性而將框架7按壓在工作臺11上，由此能夠在框架7部分提高搬運載體4與工作臺11的緊貼性。因而，能夠進一步提高搬運載體4與工作臺11的接觸所帶來的冷卻效果，并且通過使冷卻用氣體容易向工作臺11的上表面中的與基板2的底面對置的區(qū)域迂回，由此能夠更有效地對基板2以及搬運載體4進行冷卻。
[0065]圖7以及圖8的按壓機構49包括以覆蓋框架7的方式形成的環(huán)狀罩49a;以及在環(huán)狀罩49a的與框架7對置的一側形成的螺旋彈簧等彈性體(按壓構件)4%。在圖示例中，環(huán)狀罩49a以覆蓋框架7的方式形成，框架7與基板2之間的保持片6的大部分露出。在等尚子體處理中，框架7被反復使用。從防止因反復暴露在等離子體中所導致的框架7的惡化的觀點出發(fā)，環(huán)狀罩優(yōu)選以至少覆蓋框架7的方式形成。在圖示例的情況下，也能夠獲得與圖5以及圖6的情況相同的冷卻效果。
[0066]按壓機構能夠對搬運載體4的框架7相對于工作臺進行按壓即可，無需一定具有環(huán)狀罩。圖9是示意性地示出其他實施方式所涉及的等離子體處理裝置的按壓機構部分的剖視圖。圖1O是圖9中的按壓機構、基板以及搬運載體的俯視圖。
[0067]在圖9以及圖10中，按壓機構59是具有螺旋彈簧等彈性體(按壓構件)59b的夾緊裝置。按壓構件59b形成在夾緊裝置的與框架7對置的一側。即便是上述那樣的簡易結構的按壓機構，也能夠對框架7相對于工作臺11進行按壓而使搬運載體4緊貼在工作臺11上，因此能夠獲得較高的冷卻效果。另外，還能夠抑制冷卻用氣體向外側泄漏。在采用圖9以及圖10的按壓機構59的情況下，也可以設置罩24而自等離子體阻隔框架7(以及保持片6)。
[0068]在圖6、圖8以及圖10中，按壓構件形成在與框架7重疊的位置。在圖示例中，四個按壓構件(在圖10中為按壓機構59)以均等間隔形成，但按壓構件(或者按壓機構59)的個數以及位置并沒有特別地限定。另外，如圖5、圖7以及圖9所示，按壓構件可以設為位于氣體孔30的上方，也可以設置在與氣體孔30錯開的位置(例如，比氣體孔30靠外側)。
[0069]以下，對各構成要素進行更為詳細地說明。
[0070](基板以及搬運載體)
[0071]作為等離子體處理的對象物的基板2并沒有特別地限定。作為基板2的材質，例如舉出單結晶S1、Si02、SiC等?；?的形狀也沒有特別地限定，例如為圓形、多邊形?；?的大小也沒有特別地限定，例如最大徑為50mm?300mm左右。也可以在基板2上設有定向平面(orientat1n flat)、槽口等切口。
[0072]在基板2的未粘貼于保持片6的面上形成有所希望形狀的抗蝕掩模(未圖示)。形成有抗蝕掩模的部分免受等離子體的蝕刻。未形成有抗蝕掩模的部分能夠由等離子體從其表面蝕刻至背面。
[0073]框架7也可以具有面積與作為等離子體處理的對象物的基板2相同、或比基板2大的開口?？蚣?具有大致恒定的較薄的厚度。框架7的開口的形狀并沒有特別地限定，可以是圓形，也可以是矩形、六邊形等多邊形。
[0074]在框架7上可以設有定位用的槽口、切角?？蚣?的材質例如是鋁、不銹鋼等金屬、樹脂等。
[0075]保持片6優(yōu)選具有比框架7的外形輪廓內的面積稍小的面積。保持片6的一個面的周緣部借助粘結劑而粘貼在框架7的一個面上。保持片6無需在框架7的寬度整體范圍內進行粘貼，例如粘貼在距框架7的內側I Omm左右的寬度的區(qū)域內即可。由此，能夠以覆蓋框架7的開口的方式將保持片6固定在框架7上。保持片6例如可以由UV固化型丙烯酸類粘結劑(粘結面6a)和聚烯烴制的基材(非粘結面6b)構成。
[0076]基板2以位于框架7的開口內的方式粘貼在保持片6的粘結面6a上。保持片6是柔軟的，因此若只在保持片6上粘貼基板2，則難以穩(wěn)定地搬運通過切片而單片化的基板2(芯片)。通過將粘貼有基板2的保持片6固定在具有剛性的框架7上，在切片后也容易搬運基板2。
[0077]粘結劑優(yōu)選包括通過紫外線照射而粘結力減小的成分。由此，通過在切片后進行紫外線照射，從而容易將單片化的基板(芯片)從粘結面6a剝離。
[0078](氣體孔)
[0079]氣體孔30的形狀并沒有特別地限定，可以是圓狀、橢圓狀、多邊形(四邊形、六邊形等)等。在該情況下，對氣體孔的尺寸而言，優(yōu)選具有相同面積的當量圓的直徑例如為0.3?1.0mm，也可以為0.5?0.8mm。
[0080](靜電吸附電極)
[0081]靜電吸附用電極22a無需一定設置在框架7的正下方的區(qū)域。但是，在框架7具備半導體材料及/或導電材料的情況下，在框架7的正下方的區(qū)域，優(yōu)選在電介質部15b的載置面18附近設置靜電吸附用電極22a。由此，即便在例如按壓機構29進行的按壓緩和的情況下，靜電吸附用電極22a也使靜電力作用于框架7，在框架7部分使搬運載體4變得容易緊貼在工作臺11上。一旦利用按壓機構29將框架7按壓在工作臺11上，然后即便解除按壓機構29進行的按壓，也由于靜電卡盤而難以在框架7部分中的搬運載體4與工作臺11之間產生間隙。
[0082](罩)
[0083]罩24的材質例如是石英、礬土等陶瓷、對表面進行過防蝕處理的鋁等。在作為罩24的材質而使用陶瓷的情況下，也可以通過實施Ni等金屬電鍍，從而使在工作臺11上載置的罩24的底面具有導電性。另外，在將對表面進行過防蝕處理的鋁用于罩24的情況下，也可以通過采用不實施防蝕處理而使鋁露出的狀態(tài)、或通過實施Ni等金屬電鍍，從而使在工作臺11上載置的罩24的底面具有導電性。如此，通過對罩24的底面賦予導電性，能夠利用靜電吸附用電極22a而使罩24吸附在工作臺11上，其結果是，能夠高效地冷卻罩24。需要說明的是，罩24優(yōu)選設為至少覆蓋框架7的整體，也可以設為除了覆蓋框架7的整體，還覆蓋框架7與基板2之間的保持片6所露出的部分整體。在上述情況下，容易自等離子體阻隔框架7、露出的保持片6。但是，保持片6的環(huán)狀區(qū)域的一部分、框架7的一部分也可以存在未被罩24覆蓋的區(qū)域。
[0084]在罩24的下降位置處，罩24優(yōu)選不與搬運載體4以及基板2中的任一者直接接觸。其理由是，避免由等離子體加熱的罩24的熱傳遞至搬運載體4以及基板2。
[0085]需要說明的是，在上述的實施方式中，例示出罩24能夠相對于工作臺11移動的情況而進行了說明。但是，罩24例如固定在腔室3的側壁上且工作臺11能夠相對于罩24移動的情況也包含在本發(fā)明的范圍內。同樣，按壓機構29例如也可以固定在腔室3的側壁上。在該情況下，工作臺11能夠相對于按壓機構29移動即可。
[0086](按壓機構)
[0087]按壓機構(具體為環(huán)狀罩、夾緊裝置以及按壓構件(彈性體)等)的形狀、材質并沒有特別地限定。從提高熱導率的觀點出發(fā)，按壓機構的材質優(yōu)選為鋁、鋁合金、不銹鋼等金屬、進行過防蝕處理的鋁等。
[0088]當按壓機構對框架相對于工作臺進行按壓時，如圖1所示，也可以以使罩24與按壓機構成為非接觸狀態(tài)的方式形成按壓機構。罩24與按壓機構相互分離，由此來自暴露在等離子體中的罩24的頂部的熱難以傳導至按壓機構。因而，搬運載體4的冷卻效果進一步提尚O
[0089](其他)
[0090]使罩24進行升降的第一升降桿26a以及使按壓機構進行升降的第二升降桿26b也可以由共用的驅動機構27驅動升降。例如，也可以將第一升降桿26a和第二升降桿26b在工作臺11的下方連結，從而使第一升降桿26a和第二升降桿26b同時升降。使第一升降桿26a以及第二升降桿26b升降的驅動機構并沒有特別地限定。
[0091](電子部件的制造方法)
[0092]接著，對本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電子部件的制造方法進行說明。
[0093]電子部件的制造方法是使用等離子體處理裝置的電子部件的制造方法，該等離子體處理裝置具備腔室、在腔室內配置的工作臺、在工作臺的上表面上設置的氣體孔、以及等離子體激發(fā)裝置，其中，電子部件的制造方法包括:(i)準備保持有基板的載體(搬運載體)的準備工序；(ii)將保持有基板(電子部件的前體)的搬運載體搭載在工作臺的上表面上的搭載工序；(iii)在搭載工序之后從氣體孔向工作臺與搬運載體之間供給冷卻用氣體的氣體供給工序；以及(iv)在搭載工序之后，利用由等離子體激發(fā)裝置在腔室內產生的等離子體對基板進行等離子體處理而獲得電子部件的等離子體工序。在此，氣體孔設置在工作臺的上表面的與框架的底面對置的位置。因此，通過從氣體孔釋放出冷卻用氣體，能夠利用冷卻用氣體高效地對基板以及搬運載體進行冷卻。電子部件的制造方法可以使用上述的等離子體處理裝置。
[0094]以下，根據需要參照圖1以及圖2的構成要素對各工序進行更為具體的說明。
[0095](工序(i)準備工序)
[0096]在工序(i)中，將基板2和在基板2的周圍配置的框架7保持在保持片6上，由此準備保持有基板2的狀態(tài)的搬運載體4。具體而目，在保持片6的粘結面6a上粘貼基板2以及框架
7。在基板2的未粘貼于保持片6的面上形成有所希望形狀的抗蝕掩模。在形成有抗蝕掩模的部分免受等離子體的蝕刻。未形成有抗蝕掩模的部分能夠由等離子體從其表面蝕刻至背面。
[0097](工序(ii)搭載工序)
[0098]在工序(ii)中，將保持有基板2的搬運載體4搬入等離子體處理裝置I所具備的腔室3(具體為處理室5)內，并載置在設于處理室5內的工作臺11上。搬運載體4將保持基板2的面以朝向上部電極9的姿態(tài)載置在工作臺11上。
[0099]在搬入時，保持有基板2的搬運載體4向處于上升位置的框架升降銷19交接。然后，框架升降銷19下降，由此搬運載體4以保持有基板2的狀態(tài)被載置在工作臺11的上表面18上。需要說明的是，當將搬運載體4載置在工作臺11上時，罩24以及按壓機構29處于上升位置，從而不會妨礙搬運載體4的載置。
[0100]接下來，利用驅動機構27使第二升降桿26b從上升位置移動至下降位置，利用按壓構件29對在工作臺11上載置的搬運載體4的框架7相對于工作臺11進行按壓。由此，在框架7與工作臺11的上表面18之間矯正框架7的變形，以避免因變形而產生間隙。通過矯正框架7的變形，能夠隔著保持片6而使框架7與上表面18可靠地接觸。另外，通過矯正框架7的變形，能夠抑制粘貼在框架7上的保持片6相對于上表面18的浮起，從而能夠使保持片6與上表面18可靠地接觸。
[0101]如此，利用按壓機構29使框架7部分中的搬運載體4與工作臺11的緊貼性提高，由此使搬運載體4靜電吸附在工作臺11上，且通過在下一工序供給冷卻用氣體來對搬運載體4以及基板2進行冷卻，在如上的情況下，冷卻用氣體向比框架7部分靠外側泄漏的情況得到更有效地抑制。因而，由于冷卻用氣體向搬運載體4的中央部分迅速地迂回，因此能夠更高效地對搬運載體4以及基板2進行冷卻。
[0102]接著，使第一升降桿26a從上升位置向下降位置移動。由此，利用罩24來覆蓋搬運載體4的保持片6的一部分和框架7。此時，按壓機構29也被罩24覆蓋。另一方面，基板2從罩24的窗部25露出。需要說明的是，在此，雖然對利用各個驅動機構使第一升降桿26a和第二升降桿26b分別升降的情況進行了說明，但并不局限于該情況，如上述那樣，也可以利用相同的驅動機構使第一升降桿26a和第二升降桿26b升降。在不設置罩24的情況下，僅使第二升降桿26b升降即可。
[0103]接下來，從直流電源23向靜電吸附用電極22a施加直流電壓。通過電壓施加而將搬運載體4靜電吸附在工作臺11的載置面18上。
[0104](工序(iii)氣體供給工序)
[0105]在搭載工序(ii)之后，從氣體孔30向工作臺11與搬運載體4之間供給He氣體等導熱氣體作為冷卻用氣體。此時，優(yōu)選在搬運載體4靜電吸附在工作臺11上的狀態(tài)下供給冷卻用氣體。氣體孔30設置在工作臺11的上表面18中的與框架7的底面對置的位置。從氣體孔30向上表面18與搬運載體4之間供給的冷卻用氣體促進工作臺11與搬運載體4之間的導熱。另外，也可以通過使冷卻液從冷卻液循環(huán)裝置21向冷卻液流路15a循環(huán)來冷卻工作臺11，在該情況下，能夠進一步提高搬運載體4的冷卻效率。
[0106](工序(iv)等離子體工序)
[0107]在搭載工序之后，在腔室3(具體為處理室5)內產生等離子體，對從罩24的窗部25露出的基板2進行等離子體處理。更具體而言，從工藝氣體源12向處理室5內導入等離子體切片用的工藝氣體，并且利用減壓機構14對處理室5內進行排氣，將處理室5內維持為規(guī)定壓力。然后，從第一高頻電源1A向上部電極(天線)9供給高頻電力而在處理室5內產生等離子體，從而對基板2照射等離子體。此時，從第二高頻電源1B對工作臺11的電極部15施加偏壓電壓。
[0108]基板2的從抗蝕掩模露出的部分(直線)在等離子體中的自由基與離子的物理化學的作用下從表面去除至背面，從而基板2被單片化為多個芯片。
[0109]在等離子體切片結束后，執(zhí)行灰化。從未圖示的灰化氣體源向處理室5內導入灰化用的工藝氣體(例如，氧氣)，并且利用減壓機構14對處理室5內進行排氣，將處理室5內維持為規(guī)定壓力。然后，從第一高頻電源1A向上部電極(天線)9供給高頻電力而在處理室5內產生等離子體，并照射至基板2。利用氧等離子體的照射，從基板2的表面去除抗蝕掩模。
[0110]在本實施方式中，在工序(iv)的至少一部分的等離子體處理中，也可以從氣體孔30向工作臺11與搬運載體4之間供給冷卻用氣體，并冷卻保持有基板2的搬運載體4(即也可以進行工序(iii))。也可以在開始工序(iv)之后開始工序(iii)，但優(yōu)選在開始工序(iii)的氣體供給之后開始工序(iv)、或者與開始工序(iii)的氣體供給的同時開始工序(iv)，這樣對搬運載體4以及基板2的冷卻效果大。
[0111]在等離子體切片以及灰化處理結束之后，搬運載體4由搬運機構從處理室5搬出。然后，搬運載體被從等離子體處理裝置中取出，通過等離子體切片而單片化的多個芯片從搬運載體4的保持片6分離。然后，各個芯片在安裝工序中被包裝，最終制造出電子部件。
[0112]具體而言，在等離子體處理結束之后，停止向靜電吸附用電極22a施加來自直流電源23的直流電壓，解除搬運載體4向工作臺11的載置面18的靜電吸附。然后，利用驅動機構27使第一升降桿26a從下降位置向上升位置移動，使罩24向上升位置移動。并且，利用驅動機構27使第二升降桿26b從下降位置向上升位置移動，使按壓機構29向上升位置移動。然后，通過利用驅動機構27使框架升降銷19上升，從而頂起搬運載體4的框架7，使搬運載體4向上升位置移動。然后，通過框架升降銷19與搬運臂的配合，搬運載體4從處理室5被搬出。
[0113]需要說明的是，通過等離子體處理而在基板2、保持片6上積蓄電荷，在等離子體處理結束之后有時也殘留電荷。尤其是在通過等離子體切片而單片化的基板2、作為絕緣體的保持片6上容易積存電荷。在該情況下，搬運載體4有時殘留吸附在工作臺11的載置面18上。在殘留吸附的狀態(tài)下，當頂起框架7時，會出現保持片6延伸、或產生皺褶等不良狀況。為了減少殘留吸附，通過一邊供給Ar、氧等氣體一邊進行比較低的功率的放電，能夠去除靜電(除電放電處理)。由此，通過在利用框架升降銷19頂起框架7之前進行除電放電處理，能夠減少殘留吸附導致的搬出時的不良狀況。
[0114]然而，當在保持片6的背面等難以獲得基于除電放電處理的除電效果的部分存在殘留電荷時，僅靠除電放電處理無法完全消除殘留吸附，從而當頂起框架7時，有時會出現保持片6伸展、或產生皺褶等不良狀況。在該情況下，從搬運載體4所載置的工作臺11的氣體孔30流出He等氣體即可。
[0115]氣體孔30設置在與框架7的底面對置的位置，因此自氣體孔30供給的氣體從搬運載體4的外周側朝向中心側部而浸透至殘留吸附的保持片6的背面，其結果是，保持片6的殘留吸附從外周側起被依次消除。由此，在除電放電處理之后，通過一邊從氣體孔30供給氣體一邊緩緩頂起框架7，能夠使搬運載體4的保持片6以從外周側緩慢地剝離的方式與工作臺11分離。因而，能夠減少殘留吸附所導致的搬出時的不良狀況。
[0116]本發(fā)明的實施方式所涉及的等離子體處理裝置以及電子部件的制造方法中的等離子體處理并不局限于等離子體切片、灰化等，也可以是普通的干式蝕刻。另外，等離子體處理裝置并不局限于上述實施方式那樣的ICP型，也可以是平行平板型。此外，本發(fā)明的等離子體處理裝置并不局限于等離子體切片裝置，也可以應用于干式蝕刻裝置、CVD裝置等其他等離子體處理裝置。
[0117]工業(yè)實用性
[0118]在本發(fā)明的實施方式所涉及的等離子體處理裝置以及電子部件的制造方法中，能夠一邊高效地對搬運載體所保持的基板進行冷卻一邊進行等離子體處理。因而，對于各種等離子體處理、尤其對于對形成有電路的基板進行等離子體處理的等離子體切片是有用的。
【主權項】
1.一種等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置對載體所保持的基板進行等離子體處理，其中， 所述載體具備在所述基板的周圍配置的框架、和保持所述基板以及所述框架的保持片， 所述等離子體處理裝置具備: 腔室； 工作臺，其配置在所述腔室內，且具有搭載所述載體的上表面； 氣體孔，其設置在所述上表面的與所述框架的底面對置的位置，且向所述工作臺與所述載體之間供給冷卻用氣體;以及 等離子體激發(fā)裝置，其在所述腔室內產生等離子體。2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中， 所述上表面具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域具有第一粗糙度，所述第二區(qū)域配置在所述第一區(qū)域的周圍且具有比所述第一粗糙度小的第二粗糙度， 所述氣體孔設置在所述第一區(qū)域內。3.根據權利要求2所述的等離子體處理裝置，其中， 表示所述第一粗糙度的算術平均粗糙度Ral為1.6μπι以上且2μπι以下， 表示所述第二粗糙度的算術平均粗糙度Ra2為0.1Mi以上且1.2μπι以下。4.根據權利要求2或3所述的等離子體處理裝置，其中， 所述第二區(qū)域的最大高度比所述第一區(qū)域的最大高度高。5.根據權利要求2或3所述的等離子體處理裝置，其中， 所述上表面還具有第三區(qū)域，所述第三區(qū)域形成在所述第一區(qū)域的內側且具有第三粗糙度， 表示所述第三粗糙度的算術平均粗糙度Ra3為所述算術平均粗糙度Ral以下。6.根據權利要求5所述的等離子體處理裝置，其中， 所述第三區(qū)域的最大高度與所述第二區(qū)域的最大高度相同。7.根據權利要求1至3中任一項所述的等離子體處理裝置，其中， 所述等離子體處理裝置還具備對所述框架相對于所述工作臺進行按壓的按壓機構。8.根據權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中， 所述按壓機構具備:以至少覆蓋所述框架的方式形成的環(huán)狀罩;和在所述環(huán)狀罩的與所述框架對置的一側形成的按壓構件。9.根據權利要求8所述的等離子體處理裝置，其中， 所述按壓構件為彈性體。10.—種電子部件的制造方法，該電子部件的制造方法使用等離子體處理裝置，所述等離子體處理裝置具備:腔室;配置在所述腔室內的工作臺；在所述工作臺的上表面上設置的氣體孔;以及等離子體激發(fā)裝置，其中， 所述電子部件的制造方法包括: 準備工序，準備對作為電子部件的前體的基板進行保持的載體； 搭載工序，將保持有所述基板的所述載體搭載在所述工作臺的所述上表面上； 氣體供給工序，在所述搭載工序之后，從所述氣體孔向所述工作臺與所述載體之間供給冷卻用氣體；以及 等離子體工序，在所述搭載工序之后，利用由所述等離子體激發(fā)裝置在所述腔室內產生的等離子體來對所述基板進行等離子體處理而獲得所述電子部件， 所述載體具備在所述基板的周圍配置的框架、和保持所述基板以及所述框架的保持片， 所述氣體孔設置在所述上表面的與所述框架的底面對置的位置。
【文檔編號】H01L21/67GK105895488SQ201510931460
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2015年12月15日
【發(fā)明人】巖井哲博, 置田尚吾, 渡邊彰三
【申請人】松下知識產權經營株式會社