未圖示)，上電極組2的上電極21和下電極組31的下電極31容納在腔體中。具體地說(shuō)，上電極組2的上電極21和下電極組31的下電極31交錯(cuò)層疊地容納在腔體中。
[0021]下面，結(jié)合附圖描述根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)I在不同的應(yīng)用場(chǎng)合下的操作。
[0022]在對(duì)被處理物體8進(jìn)行預(yù)處理的情況下，第一開關(guān)4閉合并且第二開關(guān)斷開，上電極組2接地，以增加等離子體的轟擊能量。這里，預(yù)處理是指利用等離子體轟擊被處理物體8的表面。具體地說(shuō)，在需要對(duì)被處理物體8進(jìn)行預(yù)處理時(shí)，可以閉合第一開關(guān)4并且斷開第二開關(guān)。如此，上電極組2接地，上電極組2的電位為O。下電極組3與變壓器6相連，從而，在相鄰的上電極21和下電極31之間形成電勢(shì)差，對(duì)等離子體中的離子產(chǎn)生加速作用。從而，增加了對(duì)下電極31和被處理物體8的進(jìn)行轟擊的等離子體中的離子的轟擊能量。另一方面，下電極31對(duì)其周圍的等離子體中的離子的電吸引力較強(qiáng)。從而，從而進(jìn)一步增加了對(duì)下電極31和被處理物體8的進(jìn)行轟擊的等離子體中的離子的轟擊能量。
[0023]另一方面，對(duì)被處理物體8進(jìn)行材料沉積的情況下，第一開關(guān)4斷開并且第二開關(guān)閉合，下電極組3接地，以降低等離子體的轟擊能量。具體地說(shuō)，在需要對(duì)被處理物體8進(jìn)行材料沉積時(shí)，可以斷開第一開關(guān)4并且閉合第二開關(guān)，如此，下電極組3接地，下電極組3的每一個(gè)下電極31的電位為O。從而，下電極31對(duì)其周圍的等離子體中的離子的電吸引力較弱，從而降低了對(duì)下電極31和被處理物體8的進(jìn)行轟擊的等離子體中的離子的轟擊能量。
[0024]又一方面，在第一開關(guān)4和第二開關(guān)都斷開時(shí)，上電極組2的上電極21與下電極組3的下電極31的電壓絕對(duì)值相等，相位相反。如此，相鄰的上電極21和下電極31之間形成電耦合結(jié)構(gòu)，電場(chǎng)基本被限制在相鄰的電極31和下電極31之間。整體上，上電極組2和下電極組對(duì)地呈現(xiàn)電中性。如此，可以降低接地的等離子體處理裝置的腔體對(duì)等離子體的電學(xué)影響，提高等離子體在相鄰的上電極21和下電極31之間的均勻性。
[0025]進(jìn)一步地說(shuō)，具有根據(jù)本實(shí)用新型的等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)I的等離子體處理裝置可以包括控制單元(未圖示)，控制單元根據(jù)預(yù)先設(shè)定的控制條件控制第一開關(guān)和/或第二開關(guān)的閉合與斷開。從而實(shí)現(xiàn)多種處理方法的自動(dòng)切換。
[0026]具有根據(jù)本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置既可以在需要對(duì)待處理物表面進(jìn)行預(yù)處理時(shí)提供較大的離子轟擊能量，又能夠在對(duì)待處理物表面進(jìn)行材料沉積時(shí)減小等離子體轟擊能量。該等離子體處理裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而且相對(duì)于現(xiàn)有的等離子體處理裝置降低了成本。
[0027]還需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同或者等同要素。另外，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”等并不構(gòu)成絕對(duì)的空間關(guān)系限制，只是一種相對(duì)的概念。
[0028]以上對(duì)本申請(qǐng)所提供的一種等離子體處理裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本申請(qǐng)的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本申請(qǐng)的方法及實(shí)用新型構(gòu)思；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本申請(qǐng)的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)包括: 上電極組，所述上電極組包括至少一個(gè)上電極； 下電極組，所述下電極組包括至少一個(gè)下電極，所述下電極組的下電極支撐被處理物體； 第一開關(guān)，所述上電極組通過(guò)所述第一開關(guān)接地；和 第二開關(guān)，所述下電極組通過(guò)所述第二開關(guān)接地。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述上電極組包括至少兩個(gè)上電極，各個(gè)上電極之間相互并聯(lián)； 所述下電極組包括至少兩個(gè)下電極，各個(gè)下電極之間相互并聯(lián)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述上電極組的上電極與相鄰的所述下電極組的下電極相對(duì)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)還包括: 變壓器，所述上電極組和所述下電極組通過(guò)所述變壓器與電源連接，所述上電極組和所述下電極組分別連接變壓器的兩個(gè)輸出端。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于， 在對(duì)所述被處理物體進(jìn)行預(yù)處理的情況下，所述第一開關(guān)閉合并且所述第二開關(guān)斷開，所述上電極組接地，以增加等離子體的轟擊能量。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于， 在對(duì)所述被處理物體進(jìn)行材料沉積的情況下，所述第一開關(guān)斷開并且所述第二開關(guān)閉合，所述下電極組接地，以降低等離子體的轟擊能量。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)斷開時(shí)，所述上電極組的上電極與所述下電極組的下電極的電壓絕對(duì)值相等，相位相反。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)，該等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)包括上電極組、下電極組、第一開關(guān)和第二開關(guān)。上電極組包括至少一個(gè)上電極。下電極組包括至少一個(gè)下電極。下電極組的下電極支撐被處理物體。上電極組通過(guò)第一開關(guān)接地。下電極組通過(guò)第二開關(guān)接地。
【IPC分類】H05H1/24
【公開號(hào)】CN204994049
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520656479
【發(fā)明人】洪夢(mèng)華, 薛元
【申請(qǐng)人】上海至純潔凈系統(tǒng)科技股份有限公司
【公開日】2016年1月20日
【申請(qǐng)日】2015年8月27日