(以虛線顯示)處穿過(guò)背板702進(jìn)入處理腔室之前，移動(dòng)經(jīng)過(guò)遠(yuǎn)端等離子體源706、708、710、 冷卻塊712、714、716與氣體供給塊718、720、722。冷卻塊712、714、716用來(lái)提供遠(yuǎn)端等離子 體源706、708、710與氣體供給塊718、720、722之間的連接。遠(yuǎn)端等離子體源706、708、710可 因?yàn)榈入x子體達(dá)成如此高溫，使得氣體供給塊718、720、722與遠(yuǎn)端等離子體源706、708、710 之間的溫度梯度會(huì)造成任一者失效。冷卻塊712、714、716可減少系統(tǒng)失效的可能性。
[0065]自功率源730提供RF功率至處理腔室，功率源730透過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)732耦接至背板 702。如圖所示，RF功率在背板702的實(shí)質(zhì)中心734處耦接至背板702。可以理解功率源730也 可在背板702的中心734以外或替代的其他位置處耦接至背板702。此外，可以約10MHz與約 100MHz之間的頻率傳送RF功率。傳送RF功率的位置與傳送氣體的位置有所間隔。
[0066] 如圖7中所示，氣體經(jīng)由開(kāi)口 724、726、728穿過(guò)背板702進(jìn)入處理腔室，開(kāi)口 724、 726、728與背板702的中心734有所間隔，以致氣體進(jìn)入處理腔室的位置與功率源730耦接至 背板702的位置分隔。圖7顯示的實(shí)施例中，各個(gè)開(kāi)口 724、726、728與背板702的中心734有實(shí) 質(zhì)相等間隔。因此，開(kāi)口 724、726、728可以相等半徑748、750、752與中心734分隔（以虛線740 所示）。一實(shí)施例中，開(kāi)口724、726、728可與背板702的中心734相隔約25與約30英寸之間。 [0067] 通過(guò)間隔開(kāi)口 724、726、728與RF供給位置，可減少處理腔室外的氣體供給塊718、 720、722或冷卻塊712、714、716附近或之中寄生等離子體點(diǎn)燃的可能性。腔室中RF電位差異 最大的位置是RF進(jìn)入腔室處，因?yàn)镽F電流沿著壁返回時(shí)RF返回路徑就在旁邊。通過(guò)在與供 給氣體進(jìn)入腔室位置分隔處具有將RF功率耦合至腔室的位置，開(kāi)口 724、726、728位于RF電 位差異減小的位置。因此，減小寄生等離子體形成的可能性。
[0068] 此外，可以預(yù)定角度α間隔開(kāi)口 724、726、728。一實(shí)施例中，角度€(為120度。顯示出 三個(gè)開(kāi)口 724、726、728的第一開(kāi)口 724與背板702的兩側(cè)754、756具有實(shí)質(zhì)相等間隔（如箭頭 C、D所示）。第一開(kāi)口724與中心734有所間隔，因此并不位于側(cè)邊736與738之間的中心。其他 兩個(gè)開(kāi)口 726、724并不位于任一側(cè)邊736、738、754、756之間的中心。
[0069]因?yàn)橛腥齻€(gè)開(kāi)口 724、726、728,有可能可調(diào)節(jié)移動(dòng)穿過(guò)背板702進(jìn)入處理腔室的處 理氣體與/或清潔氣體自由基。例如，可選擇性打開(kāi)與關(guān)閉閥742、744、746而以預(yù)定方式讓 處理氣體與/或清潔氣體自由基經(jīng)過(guò)開(kāi)口 724、726、728進(jìn)入處理腔室。例如，可選擇性透過(guò) 一開(kāi)口 724、726、728輸送處理氣體與/或清潔氣體而不透過(guò)其他開(kāi)口 724、726、728輸送。實(shí) 際上，為了調(diào)節(jié)(stir)處理腔室中的處理氣體與/或清潔氣體自由基，可持續(xù)轉(zhuǎn)換開(kāi)口 724、 726、728(氣體經(jīng)由此進(jìn)入腔室）。對(duì)處理氣體而言，可通過(guò)上述步驟調(diào)節(jié)腔室中點(diǎn)燃的等離 子體。同樣地，可調(diào)節(jié)自遠(yuǎn)端等離子體源706、708、710輸送的自由基。
[0070] 設(shè)備700將具有進(jìn)入處理腔室的狹縫閥開(kāi)口，以允許基板進(jìn)入與離開(kāi)處理腔室。圖 7顯示的實(shí)施例中，設(shè)備的側(cè)邊736具有狹縫閥開(kāi)口。因此，開(kāi)口724比開(kāi)口726、728置于更遠(yuǎn) 離狹縫閥開(kāi)口處。
[0071] 腔室中的狹縫閥開(kāi)口會(huì)影響腔室中的等離子體分布。因?yàn)榫哂歇M縫閥開(kāi)口的壁不 同于其他三個(gè)壁，所以狹縫閥開(kāi)口會(huì)影響等離子體分布。施加至背板702的RF電流試圖返回 其功率源730。如此返回中，RF電流沿著腔室壁移動(dòng)回功率源703。因?yàn)楸赗F電位相對(duì)等離子 體RF電位的差異，沿著腔室壁移動(dòng)回功率源730的RF電流會(huì)影響等離子體。因?yàn)榫哂歇M縫閥 開(kāi)口的壁不同于其他壁，所以狹縫閥開(kāi)口因?yàn)镽F電位差異而影響等離子體分布。不均勻等 離子體分布會(huì)造成基板上的不均勻沉積。
[0072]流入腔室的處理氣體也影響等離子體分布。等離子體濃度越高，材料沉積越多。已 經(jīng)出乎意外地發(fā)現(xiàn)當(dāng)透過(guò)所有三個(gè)開(kāi)口 724、726、728輸送處理氣體至處理腔室時(shí)，出現(xiàn)在 基板中心區(qū)域上的沉積量高于其他區(qū)域。因此，沉積材料將為"中心高"。然而，當(dāng)僅透過(guò)一 開(kāi)口 724供給處理氣體進(jìn)入處理腔室且避免透過(guò)其他開(kāi)口 726、728流動(dòng)時(shí)，基板上的沉積更 均勻。因此，僅透過(guò)一開(kāi)口 724而不透過(guò)開(kāi)口 726、728供給處理氣體可減少"中心高"效應(yīng)。 [0073] 透過(guò)開(kāi)口 724而非開(kāi)口 726或開(kāi)口 728供給是有利的，因?yàn)殚_(kāi)口 724在?'方向中位 于側(cè)邊754、756之間的實(shí)質(zhì)中心，而"X"方向中則無(wú)。另一方面，開(kāi)口 726、728沒(méi)有在"X"或 ?'方向任一者中位于中心。因?yàn)殚_(kāi)口 724位于側(cè)邊754與側(cè)邊756之間的中心，預(yù)期?'方向 中的氣體分配是實(shí)質(zhì)均勻的。因?yàn)殚_(kāi)口 724不在"X"方向的中心734，"X"方向中的氣體分配 可能不均勻。因此相對(duì)于開(kāi)口726、728,開(kāi)口724提供至少一可控制方向。沉積過(guò)程中，可關(guān) 閉閥742、746以確保僅透過(guò)開(kāi)口 724輸送處理氣體。另一方面，腔室清潔過(guò)程中，自遠(yuǎn)端等離 子體源706、708、710中產(chǎn)生的等離子體輸送的自由基可進(jìn)入穿過(guò)所有三個(gè)開(kāi)口 724、726、 728以有效地清潔處理腔室。
[0074] 一實(shí)施例中，設(shè)備700可如下般運(yùn)作?？申P(guān)閉閥742與746以避免處理氣體穿過(guò)開(kāi)口 726、728進(jìn)入處理腔室。因此，處理氣體不經(jīng)過(guò)遠(yuǎn)端等離子體源708、710、冷卻塊714、716或 氣體供給塊722、724。閥744將打開(kāi)而處理氣體將移動(dòng)通過(guò)遠(yuǎn)端等離子體源706、冷卻塊712、 氣體供給塊718并通過(guò)開(kāi)口 724進(jìn)入處理腔室。處理氣體將移動(dòng)通過(guò)遠(yuǎn)端等離子體源706而 不被點(diǎn)燃成等離子體。通過(guò)僅透過(guò)一開(kāi)口 724供給氣體進(jìn)入處理腔室，可控制處理氣體量并 減少中心高沉積的可能性。若透過(guò)所有三個(gè)開(kāi)口 724、726、728供給氣體，那么沉積可能會(huì)不 均勻且發(fā)生中心高沉積。
[0075]自功率源730將RF電流提供至處理腔室，透過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)732在與開(kāi)口 724、726、728 有所間隔的位置輸送至背板702 AF電流可點(diǎn)燃處理氣體成等離子體以沉積材料于基板上。 處理之后，可移除基板并排空處理氣體。之后，可清潔處理腔室。打開(kāi)閥742與746并自氣源 704輸送清潔氣體至遠(yuǎn)端等離子體源706、708、710 (在遠(yuǎn)端等離子體源，清潔氣體被點(diǎn)燃成 等離子體）。來(lái)自遠(yuǎn)端等離子體源706、708、710的自由基接著可經(jīng)過(guò)冷卻塊712、714、716、氣 體供給塊718、720、722并通過(guò)開(kāi)口 724、726、728進(jìn)入處理腔室。清潔氣體接著自處理腔室的 暴露表面蝕刻或移除污染物。
[0076]清潔過(guò)程中，清潔氣體量并非重要考量。事實(shí)上，越多越好，以確保適當(dāng)?shù)厍鍧嵡?室。因此，可透過(guò)所有三個(gè)開(kāi)口 724、726、728供給清潔氣體。如同沉積一樣，清潔中也期望均 勻性，但在清潔時(shí)，腔室表面對(duì)清潔氣體自由基呈現(xiàn)相對(duì)惰性，以致主要地移除沉積在腔室 表面上的材料。非常少(若有的話)的腔室被移除。因此，越多的清潔氣體自由基越好。為了 確保存在盡可能多的清潔自由基，應(yīng)用所有三個(gè)開(kāi)口 724、726、728。根據(jù)剛剛討論的實(shí)施 例，清潔過(guò)程中，可改變氣體進(jìn)入腔室的供給位置以及位置數(shù)目。清潔之后，可排空處理腔 室而處理腔室再度準(zhǔn)備好用于沉積。
[0077]圖8是根據(jù)另一實(shí)施例的設(shè)備800的概要俯視圖。設(shè)備800可為PECVD設(shè)備。設(shè)備800 包括背板802。氣源804不僅提供處理氣體至處理腔室，并提供清潔氣體至處理腔室。雖然顯 示單一氣源804，但可理解可應(yīng)用多個(gè)氣源。
[0078] 沉積過(guò)程中，自氣源804供給處理氣體至處理腔室。處理氣體在開(kāi)口824、826、828 (以虛線顯示)處穿過(guò)背板802進(jìn)入處理腔室之前，移動(dòng)經(jīng)過(guò)遠(yuǎn)端等離子體源806、808、810、 冷卻塊812、814、816與氣體供給塊818、820、822。冷卻塊812、814、816用來(lái)提供遠(yuǎn)端等離子 體源806、808、810與氣體供給塊818、820、822之間的連接。遠(yuǎn)端等離子體源806、808、810可 因?yàn)榈入x子體達(dá)成如此高溫，使得氣體供給塊818、820、822與遠(yuǎn)端等離子體源806、808、810 之間的溫度梯度會(huì)造成任一者失效。冷卻塊812、814、816可減少系統(tǒng)失效的可能性。
[0079]自復(fù)數(shù)個(gè)功率源830、832、860、862提供RF功率至處理腔室，復(fù)數(shù)個(gè)功率源830、 832、860、862透過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)耦接至背板802。如圖所示，RF功率源830、832、860、862在與背板 802的實(shí)質(zhì)中心834處有所間隔的位置耦接至背板?？梢岳斫夤β试?30、832、860、862也可 在其他位置(包括背板802的中心834)處耦接至背板802。此外，可以約10MHz與約100MHz之 間的頻率傳送RF功率。傳送RF功率的位置與傳送氣體的位置有所間隔。此外，不同功率源 830、832、860、862輸送的功率的相位可不同。
[0080] 如圖8中所示，氣體經(jīng)由開(kāi)口 824、826、828穿過(guò)背板802進(jìn)入處理腔室，開(kāi)口 824、 826、828與背板802的中心834有所間隔，以致氣體進(jìn)入處理腔室的位置與功率源830、832、 860、862耦接至背板802的位置分隔。圖8顯示的實(shí)施例中，各個(gè)開(kāi)口824、826、828與背板802 的中心834有實(shí)質(zhì)相等間隔。因此，開(kāi)口 824、826、828可以相等半徑848、850、852與中心834 分隔（以虛線840所示）。一實(shí)施例中，開(kāi)口824、826、828可與背板802的中心834相隔約